[发明专利]薄膜太阳能电池的绒面透明导电氧化物薄膜的制备方法无效
申请号: | 201210104462.9 | 申请日: | 2012-04-11 |
公开(公告)号: | CN102623569A | 公开(公告)日: | 2012-08-01 |
发明(设计)人: | 贾海军;贺天太;冯燕;张丽;朱红兵;潘清涛;麦耀华 | 申请(专利权)人: | 保定天威薄膜光伏有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 唐山顺诚专利事务所 13106 | 代理人: | 于文顺 |
地址: | 071051 河北省保定市*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 太阳能电池 透明 导电 氧化物 制备 方法 | ||
1.一种薄膜太阳能电池的绒面透明导电氧化物薄膜的制备方法,其特征在于:包含如下工艺步骤:①在低于100℃条件下采用磁控溅射技术,在衬底上利用不同掺杂浓度的靶材沉积透明导电薄膜;②对制备的透明导电薄膜经先退火后化学湿法刻蚀处理或先化学湿法刻蚀后退火处理,形成绒面结构;③经上述工艺步骤后获得适用于薄膜太阳能生产的绒面透明导电氧化物薄膜。
2.根据权利要求1所述之薄膜太阳能电池的绒面透明导电氧化物薄膜的制备方法,其特征在于所述低于100℃条件下为室温条件。
3.根据权利要求1或2所述之薄膜太阳能电池的绒面透明导电氧化物薄膜的制备方法,其特征在于所述在衬底上利用不同掺杂浓度的靶材沉积透明导电薄膜,透明导电薄膜为氧化锌薄膜、硼掺杂ZnO薄膜、金属元素掺杂ZnO薄膜、金属元素掺杂氧化锡薄膜,靶材即为上述薄膜相应的材料。
4.根据权利要求3所述之薄膜太阳能电池的绒面透明导电氧化物薄膜的制备方法,其特征在于金属元素掺杂ZnO薄膜包括:铝掺杂ZnO薄膜、镓掺杂ZnO薄膜,靶材即为上述薄膜相应的材料。
5.根据权利要求1或2所述之薄膜太阳能电池的绒面透明导电氧化物薄膜的制备方法,其特征在于所述磁控溅射技术,包括射频、直流和中频;所述衬底为超白浮法玻璃、透明聚酯膜、不锈钢衬底材料。
6.根据权利要求1或2所述之薄膜太阳能电池的绒面透明导电氧化物薄膜的制备方法,其特征在于所述磁控溅射技术使用的磁控溅射设备,具有温度可控的衬底加热系统和水冷循环系统。
7.根据权利要求6所述之薄膜太阳能电池的绒面透明导电氧化物薄膜的制备方法,其特征在于大磁控溅射设备所用靶材为不同掺杂浓度的ZnO:Al2O3陶瓷靶材,掺杂浓度体积比为0.1-3%,陶瓷靶材形状为矩形平板或圆柱旋转靶材。
8.根据权利要求1或2所述之薄膜太阳能电池的绒面透明导电氧化物薄膜的制备方法,其特征在于所述化学湿法刻蚀处理,使用的刻蚀溶液为稀释的无机酸、碱或盐,其中酸为盐酸、硫酸、磷酸,碱为氢氧化钾、氢氧化钠,盐为氯化铵,浓度>0.1%。
9.根据权利要求1或2所述之薄膜太阳能电池的绒面透明导电氧化物薄膜的制备方法,其特征在于所述退火处理,所采用的退火设备温度范围为>100℃,退火时间不限。
10.根据权利要求1或2所述之薄膜太阳能电池的绒面透明导电氧化物薄膜的制备方法,其特征在于所述绒面透明导电氧化物薄膜的波长为600nm,处雾度>30%。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的