[发明专利]衬底处理装置、及该装置用反应管的表面涂膜形成方法无效
申请号: | 201210104811.7 | 申请日: | 2012-04-06 |
公开(公告)号: | CN102738296A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | 西谷英辅;国井泰夫;丰田一行;桧山耕作;中筋智博;滨口龙哉;宫岛生欣 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立国际电气;东华隆株式会社 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/032;H01L21/67 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 杨宏军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 处理 装置 反应 表面 形成 方法 | ||
1.一种衬底处理装置,具有:
处理室,容纳多个衬底,所述衬底形成有由铜-铟、铜-镓或铜-铟-镓中的任一种形成的层合膜;
反应管,以构成所述处理室的方式形成;
气体供给管,向所述处理室中导入含硒元素气体或含硫元素气体;
排气管,将所述处理室内的气体排出;及
加热部,以包围所述反应管的方式设置,
所述反应管的靠所述处理室侧的表面中的、至少暴露在所述含硒元素气体或含硫元素气体中的表面具有多孔状涂膜,所述多孔状涂膜以氧化铬及氧化硅的混合物作为主要成分、且具有5%至15%的空隙率,
所述氧化铬以CrxOy表示,其中,x、y为1以上的任意整数,
所述氧化硅以SixOy表示,其中,x、y为1以上的任意整数。
2.如权利要求1所述的衬底处理装置,其中,所述反应管的基材的金属材料为不锈钢。
3.如权利要求2所述的衬底处理装置,其中,所述涂膜在与所述反应管的基材的边界附近具有FeCr类的氧化物层。
4.如权利要求1所述的衬底处理装置,其中,在与所述多个衬底的表面相平行的方向上,配置有多个所述保持盒。
5.一种在反应管的表面形成涂膜的方法,所述反应管形成处理室,所述处理室用于将多个衬底暴露在含硒元素气体或含硫元素气体的气氛中,所述衬底形成有由铜-铟、铜-镓或铜-铟-镓中的任一种形成的层合膜,所述方法包括如下工序:
洗涤工序,对所述反应管的基材的表面进行脱脂及洗涤;
粗糙化工序,对所述反应管的基材的表面进行喷砂,使基材表面粗糙化;
涂布工序,在所述被粗糙化的基材的表面涂布氧化铬及氧化硅的混合物的浆料,所述氧化铬以CrxOy表示,其中,x、y为1以上的任意整数,所述氧化硅以SixOy表示,其中,x、y为1以上的任意整数;
烧成工序,在规定的温度下将涂布有所述浆料的基材烧成;及
浸渍工序,使化学致密化处理剂浸渍所述烧成工序后的基材,
将所述涂布工序、所述烧成工序及所述浸渍工序重复规定次数。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的