[发明专利]一种Ge低温诱导晶化多晶Si薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种Ge低温诱导晶化多晶Si薄膜的制备方法，采用以下步骤实现：

A) 30℃～500℃在衬底上生长一层200～500nm的锗填埋层；

B) 30℃～500℃在上述锗填埋层上生长非晶硅层；

C) 在真空度为1×10^-2～9×10^-2帕下，将上述具有锗填埋层的非晶硅薄膜密封于石英玻璃管内；将上述石英玻璃管置于马弗炉内在600℃下退火至少2小时，即可获得多晶硅薄膜。

2.如权利要求1所述一种Ge低温诱导晶化多晶Si薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤A中生成锗填埋层的具体工艺为：

(1)将晶面指数为150～480的衬底经过丙酮超声清洗10分钟, 无水乙醇超声清洗20分钟，去离子水冲洗后用高纯氮气吹干放入磁控溅射生长室；将锗靶的靶间距设定为75～83 mm，硅靶的靶间距为55～80mm；

(2) 本底真空度优于 4.0×10^-4 Pa后, 通入纯度为99.999%的高纯氩气；

(3) 通过调节氩气流量，使生长室内工作压强为2.0Pa，并设定衬底温度为150～300℃；

(4) 待衬底温度及工作室内压强稳定后，将控制锗靶的直流电源功率调至100瓦，开始生长锗填埋层；

 (5) 待锗靶的溅射30分钟后，锗填埋层生长结束。

3.如权利要求1所述的一种Ge低温诱导晶化多晶Si薄膜的制备方法，其特征在于：所述衬底为硅衬底、不锈钢衬底、普通玻璃衬底或石英玻璃衬底。

4.如权利要求2所述一种Ge低温诱导晶化多晶Si薄膜的制备方法，其特征在于，所述衬底为硅衬底、不锈钢衬底、普通玻璃衬底或石英玻璃衬底。

5.如权利要求1-4任一项所述一种Ge低温诱导晶化多晶Si薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤B中锗填埋层上生成非晶硅层的具体工艺：

 (1) 将控制硅靶的射频功率调至150～330瓦，在上述生长的锗层上开始生长非晶硅层；

 (2) 待硅靶的溅射时间达到90～150分钟后，关上述射频电源，硅层生长结束；

 (3) 关闭上述Ar气及衬底温度控制电源，待衬底温度降到40℃后取出上述具有锗填埋层的非晶硅薄膜。