[发明专利]发光面板、显示装置和电子设备

说明书

技术领域

本发明涉及一种具有有机EL(电致发光)元件的发光面板、具有这样的发光面板的显示装置以及具有这样的显示装置的电子设备。

背景技术

近年来开发了用作像素的发光元件的电流驱动的光学元件，诸如有机EL元件，并且努力使它们在适于显示图像的显示装置领域中是商业可用的(例如，参考日本专利特开2008-083272号公报)。这些电流驱动的光学元件的发光亮度根据从其穿过的电流而变化。有机EL元件，与液晶元件不同，是自发光的。这消除了采用有机EL元件(有机EL显示装置)的显示装置具有光源(背光)的需求，从而相比于需要光源的液晶显示装置提供更高的图像可见度、更低的功耗以及更快的元件响应。

正如液晶显示装置一样，有机EL显示装置分成两种类型，根据其驱动方式分成无源矩阵显示装置和有源矩阵显示装置。前者的结构比较简单。然而，该类型的有机EL显示装置难以做成大尺寸和高清晰度的显示装置。因此，现今，越来越努力开发有源矩阵模式。该类型的显示装置设计为采用有源元件(一般为TFT(薄膜晶体管))控制流经发光元件的电流，该有源元件设置在为每个发光元件提供的驱动电路中，该发光元件设置在每个像素中。

发明内容

此外，用于提取EL光的结构可分成两种类型，底发射结构和顶发射结构。对于前者，或对于底发射结构，彩色滤光片形成在TFT电路上。然而，彩色滤光片当其从有机EL元件接收EL光时变得带电，从而由于彩色滤光片上收集的电荷而改变TFT的特性。

例如，图16清楚地示出，以EL光照射具有设置在其上或其上方的彩色滤光片的n沟道晶体管的TFT特性不同于附近没有彩色滤光片的n沟道晶体管的TFT特性。更具体地，TFT阈值电压在负方向上移动，在截止条件下具有较大的漏电流。如果特性经过这样的改变的TFT用作写入晶体管，则像素电路中的保持电容器保持的电荷在发光周期期间泄漏，从而导致较低的亮度。

本发明考虑到前述情况，并且希望提供一种能够减小由于彩色滤光片带电而导致的像素电路特性的改变的发光面板、具有这样的发光面板的显示装置以及具有这样的显示装置的电子设备。

根据本发明实施例的发光面板包括在每个像素中的有机EL元件、像素电路、彩色滤光片和导电层。这里，有机EL元件朝着透明基板发射EL光。像素电路驱动有机EL元件并且形成在透明基板上。彩色滤光片不仅形成在透明基板与有机EL元件之间，还形成在像素电路正上方。导电层由导电性比彩色滤光片的导电性高的材料制成，并且形成在像素电路和彩色滤光片之间。

根据本发明实施例的显示装置包括作为显示面板的上面的发光面板，并且进一步包括适于驱动显示面板的驱动电路。根据本发明实施例的电子设备包括上面的显示装置。

在根据本发明实施例的发光面板、显示装置和电子设备中，比彩色滤光片的导电性高的导电层形成在底发光的发光面板中的像素电路和彩色滤光片之间。这降低了像素电路受到彩色滤光片因接收有机EL元件发射EL光而带电的影响的倾向。

在本发明中，像素电路例如包括保持电容器以及第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管对保持电容器写入预定电压。第二晶体管根据保持电容器的电压驱动有机EL元件。如果像素电路构造为如上所述，并且如果彩色滤光片形成在第一晶体管正上方或上方，则优选导电层应形成在第一晶体管和彩色滤光片之间。

此外，在本发明中，第一晶体管例如包括栅极、源极、漏极和沟道。如果第一晶体管构造为如上所述，则优选导电层应至少覆盖第一晶体管与彩色滤光片相对的所有区域中的沟道的一部分。再进一步，更优选导电层应至少覆盖第一晶体管与彩色滤光片相对的所有区域中的沟道以及源极和漏极中被外部提供信号的一方的相反侧的端子，这是因为这使得像素电路更少地受到彩色滤光片带电的影响。

再进一步，在本发明中，第一晶体管可通过绝缘层与导电层绝缘隔离。可选择地，在本发明中，导电层可电性浮置。进一步可选择地，导电层可电连接到不同于该导电层的导电构件而设定为预定电势。

在根据本发明实施例的发光面板、显示装置和电子设备中，比彩色滤光片的导电性高的导电层形成在像素电路与彩色滤光片之间，从而降低了彩色滤光片带电而导致的像素电路特性的变化。

附图说明

图1是根据本发明实施例的显示装置的示意图；

图2是图1所示亚像素(subpixel)的电路图；

图3是图1所示亚像素的构件的布局图；

图4是示出在箭头A-A的方向上看图3所示亚像素的截面结构的示例的图示；

图5是示出在箭头B-B的方向上看图3所示亚像素的截面结构的示例的图示；