[发明专利]一种采用Lift-Off原理制作光栅的方法

权利要求书

1.一种采用Lift-Off原理制作光栅的方法，包括如下步骤：a）在一光栅基片上制作光刻胶全息光栅；b）采用镀膜沉积技术在光刻胶全息光栅的光栅面上镀介质膜层；c）洗除光刻胶层，留下沉积在光栅基片上的介质膜层，构成介质膜光栅；其特征在于：在镀膜沉积过程中，介质膜料垂直沉积于光刻胶全息光栅的光栅面上，且介质膜层厚度低于光刻胶全息光栅的光刻胶槽深。

2.如权利要求1所述一种采用Lift-Off原理制作光栅的方法，其特征在于：所述镀膜沉积技术为热蒸发镀膜结合离子束辅助沉积技术。

3.如权利要求1所述一种采用Lift-Off原理制作光栅的方法，其特征在于：所述介质膜层为单层或多层膜结构，膜料为金属膜或氧化物膜。

4.如权利要求3所述一种采用Lift-Off原理制作光栅的方法，其特征在于：所述金属膜为Cr、Ni、Ti、Al、Au或Cu；所述氧化物膜为SiO₂、Ta₂O₅或Al₂O₃。

5.如权利要求1所述一种采用Lift-Off原理制作光栅的方法，其特征在于：所述光刻胶全息光栅的光刻胶槽深大于100纳米，占空比为0.1~0.8。

6.如权利要求1所述一种采用Lift-Off原理制作光栅的方法，其特征在于：制作过程中，所述膜料及光栅基片温度均低于光刻胶的形变温度。

7.如权利要求1所述一种采用Lift-Off原理制作光栅的方法，其特征在于：步骤c）中，采用有机溶剂或等离子体对光刻胶层进行清洗去除；所述去除方式为浸泡法、喷涂法或超声波法。

8.如权利要求7所述一种采用Lift-Off原理制作光栅的方法，其特征在于：所述有机溶剂为四甲基氢氧化铵、氢氧化钠、氢氧化钾或丙酮；所述等离子体为氧等离子体。

9.如权利要求1所述一种采用Lift-Off原理制作光栅的方法，其特征在于：所述光栅基片采用低膨胀系数的光学抛光平片。

10.如权利要求1所述一种采用Lift-Off原理制作光栅的方法，其特征在于：所制得的介质膜光栅为透射光栅或反射光栅。