[发明专利]一种超级结肖特基半导体装置及其制备方法有效
| 申请号： | 201210106646.9 | 申请日： | 2012-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN103367396B | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 朱江 | 申请（专利权）人： | 朱江 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 113200 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 超级 结肖特基 半导体 装置 及其 制备 方法 | ||
1.一种超级结肖特基半导体装置，其特征在于：包括：
衬底层，为半导体材料构成；
超级结结构，位于衬底层之上，为第一导电半导体材料和第二导电半导体材料相互排列构成；
多个沟槽，位于器件表面，由第一导电半导体材料高于第二导电半导体材料形成；
绝缘材料，位于第一导电半导体材料上表面；
肖特基势垒结，位于沟槽内壁。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的衬底层为高浓度杂质掺杂的半导体材料。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的衬底层可以为高浓度杂质掺杂的半导体材料和低浓度杂质掺杂的半导体材料叠加层。
4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的超结结构可以为半超结结构，即在传统超结结构中的漂移层底部增加一个第一导电半导体材料层或第二导电半导体材料层。
5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的肖特基势垒结为势垒金属与半导体材料形成的结。
6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的肖特基势垒结可以位于沟槽的侧壁，同时沟槽底部形成欧姆接触区。
7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的肖特基势垒结可以位于沟槽的底部，同时沟槽侧壁形成欧姆接触区。
8.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的肖特基势垒结可以位于整个沟槽的内壁。
9.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的半导体装置接一定的反向偏压时，第二导电半导体材料与第一导电半导体材料形成电荷补偿，形成超结结构。
10.如权利要求1所述的一种超级结肖特基半导体装置的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：
1)在衬底层表面形成第一导电半导体材料层，然后表面形成一种绝缘介质；
2)进行光刻腐蚀工艺，半导体材料表面去除部分绝缘介质，然后刻蚀去除部分裸露半导体材料形成沟槽；
3)在沟槽内形成第二导电半导体材料，然后刻蚀去除部分第二导电半导体材料；
4)在半导体材料表面淀积势垒金属，进行烧结形成肖特基势垒结。
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