[发明专利]光电转换装置

权利要求书

1.一种光电转换装置，所述光电转换装置包括：

第一光电转换单元，在基底上并具有第一能带隙；

第二光电转换单元，具有与第一能带隙不同的第二能带隙，第二光电转换单元在第一光电转换单元上；

中间单元，在第一光电转换单元和第二光电转换单元之间，中间单元包括第一中间层和第二中间层的堆叠件，第一中间层和第二中间层中的每层的折射率小于第一光电转换单元的折射率，第一中间层具有第一折射率，第二中间层具有小于第一折射率的第二折射率。

2.如权利要求1所述的装置，其中，中间单元在堆叠件中包括至少一个第一中间层，并且在堆叠件中包括与第一中间层交替地布置的至少一个第二中间层。

3.如权利要求1所述的装置，其中，第一中间层的电导率高于第二中间层的电导率。

4.如权利要求3所述的装置，其中：

第一中间层和第二中间层掺杂有n型杂质或p型杂质，

第一中间层和第二中间层中的n型杂质和p型杂质的浓度分别小于1at％。

5.如权利要求3所述的装置，其中：

第一中间层和第二中间层掺杂有n型杂质或p型杂质，

两个n型第一中间层分别设置在中间单元的最外侧，使得第一光电转换单元与所述两个n型第一中间层中的一层直接接触，并且第二光电转换单元与所述两个n型第一中间层中的另一层直接接触。

6.如权利要求5所述的装置，其中：

第一光电转换单元包括由非晶硅形成的第一本征硅层、设置在第一本征硅层和基底之间的第一类型导电层以及设置在第一本征硅层上的第二类型导电层，

第二光电转换单元包括由包含多个晶体的结晶硅形成的第二本征硅层、设置在第二本征硅层和中间单元之间的第三类型导电层以及设置在第二本征硅层上的第四类型导电层。

7.如权利要求3所述的装置，其中：

第一中间层和第二中间层掺杂有n型杂质或p型杂质，

n型第一中间层和p型第一中间层分别设置在中间单元的最外侧，第一光电转换单元与所述n型第一中间层和p型第一中间层中的一层直接接触，第二光电转换单元与所述n型第一中间层和p型第一中间层中的另一层直接接触。

8.如权利要求7所述的装置，其中：

第一光电转换单元包括由非晶硅形成的第一本征硅层，第一本征硅层与n型第一中间层接触，

第二光电转换单元包括由包含多个晶体的结晶硅形成的第二本征硅层，第二本征硅层与p型第一中间层接触。

9.如权利要求3所述的装置，其中：

第一中间层和第二中间层掺杂有n型杂质或p型杂质，

第一中间层和第二中间层包含SiO_x:H、SiC_x:H和SiN_x:H中的至少一种。

10.如权利要求1所述的装置，其中，第一中间层的折射率在2.3至3.0的范围内，第二中间层的折射率在1.6至2.1的范围内。

11.如权利要求10所述的装置，其中，第一中间层的电导率大于10^-3(Ωcm)^-1，第二中间层的电导率小于10^-4(Ωcm)^-1。

12.如权利要求10所述的装置，其中，第一中间层的厚度为10至500第二中间层的厚度为50至1500

13.如权利要求10所述的装置，其中，第一中间层的氧浓度小于40at％，第二中间层的氧浓度为40at％至70at％。