[发明专利]光电子半导体芯片

权利要求书

1.一种光电子半导体芯片，朝着半导体芯片(20)的生长方向(c)具有以下顺序的区域：

-用于有源区(2)的p掺杂的阻挡层(1)，

-有源区(2)，其适合于产生电磁辐射，其中有源区基于六方结构的化合物半导体，以及

-用于有源区(2)的n掺杂的阻挡层(3)，其中

有源区(2)包括为产生辐射而设置的量子阱结构(8)；并且

朝着生长方向(c)看，在为产生辐射而设置的量子阱结构(8)之前设置有至少一个并不是为产生辐射而设置的量子阱结构(9)。

2.根据权利要求1所述的光电子半导体芯片，其中有源区基于III-V-半导体材料系In_yGa_1-x-yAl_xN，其中0≤x≤1，0≤y≤1且x+y≤1。

3.根据权利要求1或2所述的光电子半导体芯片，其中在p掺杂的阻挡层(1)和有源区(2)之间设置有扩散势垒(4)，该扩散势垒适于防止掺杂材料扩散进有源区(2)。

4.根据权利要求1或2所述的光电子半导体芯片，其中朝着生长方向(c)看，在p掺杂的阻挡层(1)之前设置有隧道接触(5)。

5.根据权利要求4所述的光电子半导体芯片，其中隧道接触(5)具有高n掺杂的区域(5a)、高p掺杂的区域(5b)和在隧道接触(5)的这两个区域(5a，5b)之间扩散势垒(14)。

6.根据权利要求1或2所述的光电子半导体芯片，其中朝着生长方向(c)看，在隧道接触(5)之前设置有n型区域(6)。

7.根据权利要求1或2所述的光电子半导体芯片，其中半导体芯片的区域沉积到p型生长衬底上。

8.根据权利要求5所述的光电子半导体芯片，其中

有源区基于III-V-半导体材料系In_yGa_1-x-yAl_xN，其中0≤x≤1，0≤y≤1且x+y≤1，并且

-扩散势垒(14)是铝浓度为至少百分之六十的Al_xGa_1-xN层。

9.根据权利要求1或2所述的光电子半导体芯片，其中有源区(2)包括正好一个为产生辐射而设置的单量子阱结构(8)。

10.根据权利要求5所述的光电子半导体芯片，其中扩散势垒(14)的层厚度为1到2nm之间。

11.根据权利要求1或2所述的光电子半导体芯片，其中并不是为产生辐射而设置的量子阱结构(9)具有比为产生辐射而设置的量子阱结构更小的铟浓度。

12.根据权利要求1或2所述的光电子半导体芯片，其中在p掺杂的阻挡层(1)与有源区(2)之间设置有扩散势垒(4)，该扩散势垒包含III-V-半导体材料系Al_xGa_1-xN构成的材料，其中x≥0.2。

13.根据权利要求1或2所述的光电子半导体芯片，其中有源区(2)基于III-V-半导体材料系In_yGa_1-yN，其中0＜y≤1。

14.根据权利要求1或2所述的光电子半导体芯片，具有生长衬底(7)，该生长衬底(7)具有偏差取向。

15.根据权利要求14所述的光电子半导体芯片，其中生长衬底(7)的偏差取向为0.1°到1.0°之间。

16.根据权利要求1或2所述的光电子半导体芯片，其中生长衬底(7)被薄化。

17.根据权利要求1或2所述的光电子半导体芯片，其中半导体芯片以Ga面生长模式来生长。

18.一种光电子器件，其带有根据权利要求1或2所述的光电子半导体芯片，具有端子(183，184)，光电子半导体芯片(20)可通过这些端子被电接触。