[发明专利]一种尖劈型超透镜的制备方法有效
申请号: | 201210107639.0 | 申请日: | 2012-04-13 |
公开(公告)号: | CN102621803A | 公开(公告)日: | 2012-08-01 |
发明(设计)人: | 罗先刚;王长涛;赵泽宇;冯沁;刘凯鹏;胡承刚;黄成;杨磊磊;陶兴;张鸶懿 | 申请(专利权)人: | 中国科学院光电技术研究所 |
主分类号: | G03F1/80 | 分类号: | G03F1/80;G03F7/20;B82Y10/00 |
代理公司: | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人: | 杨学明;顾炜 |
地址: | 610209 *** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 尖劈型超 透镜 制备 方法 | ||
1.一种尖劈型超透镜的制备方法,其特征在于:该方法的步骤如下:
步骤(1)在平整的紫外透明基底上依次涂布或沉积牺牲层和掩蔽层;
步骤(2)在掩蔽层上涂光刻胶,曝光得到直线结构;
步骤(3)将直线结构刻蚀传递到掩蔽层;
步骤(4)用掩蔽层做掩蔽,对牺牲层进行各向同性刻蚀,使掩蔽层部分悬空;
步骤(5)倾斜蒸镀金属/介质膜层交替组成的多层膜;
步骤(6)去除牺牲层和附着在牺牲层上的掩蔽层,得到位于紫外透明基底上的尖劈型超透镜。
2.根据权利要求1所述的尖劈型超透镜的制备方法,其特征在于:所述步骤(1)中的紫外透明基底可以为石英、玻璃、蓝宝石或Si3N4基片,牺牲层为光刻胶、PMMA或其它有机材料,掩蔽层为铬、银、铜、钛、SiO2、Si、SiC或Si3N4膜层。
3.根据权利要求1所述的尖劈型超透镜的制备方法,其特征在于:所述步骤(2)中曝光的方法为接触式曝光、接近式曝光或移动曝光。
4.根据权利要求1所述的尖劈型超透镜的制备方法,其特征在于:所述步骤(3)中将直线结构刻蚀传递到掩蔽层的刻蚀方法为IBE、RIE或ICP。
5.根据权利要求1所述的尖劈型超透镜的制备方法,其特征在于:所述步骤(4)中对牺牲层进行各向同性刻蚀的刻蚀方法为RIE或湿法腐蚀,在刻蚀牺牲层时光刻胶会被全部刻蚀去除或刻蚀部分厚度。
6.根据权利要求1所述的尖劈型超透镜的制备方法,其特征在于:所述步骤(5)中的金属/介质膜层,金属膜层可以为银、金或金银合金,介质膜层为为SiO2、Al2O3、SiC或Si3N4,蒸镀的方向与直线结构的方向垂直,并与基底法线的方向夹角为100-180度。
7.根据权利要求1所述的尖劈型超透镜的制备方法,其特征在于:所述步骤(6)中去除牺牲层、掩蔽层的方法为将基底置于丙酮、异丙醇或乙醇溶液中浸泡。
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