[发明专利]一种半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制造方法，该方法包括以下步骤：

(a)提供衬底，在所述衬底上形成栅极堆叠，在所述栅极堆叠的侧壁形成侧墙；

(b)在所述栅极堆叠两侧的衬底上形成凹槽，各向异性刻蚀所述栅极堆叠两侧的凹槽，使其穿通，形成空腔；

(c)形成源/漏区。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述衬底的材料为单晶Si、单晶Ge、单晶SiGe或其组合。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述衬底的晶向为{100}。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，步骤(b)中形成凹槽的方法为：

在所述衬底和栅极堆叠上形成掩膜层；

在所述掩膜层上覆盖一层光刻胶，通过曝光显影在光刻胶上形成开口，所述开口位于所述栅极堆叠的两侧；

刻蚀所述开口中的掩膜层，去掉所述光刻胶；

刻蚀所述衬底，在栅极堆叠的两侧形成凹槽。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述掩膜层为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其组合。

6.根据权利要求4所述的方法，其中，刻蚀所述掩膜层的方法为干法刻蚀RIE或湿法腐蚀。

7.根据权利要求4所述的方法，其中，刻蚀形成所述凹槽的方法为干法刻蚀RIE。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，步骤(b)中，各向异性腐蚀的方法为湿法腐蚀，其中腐蚀剂包括氢氧化钾(KOH)、四甲基氢氧化铵(TMAH)或乙二胺-邻苯二酚(EDP)，或其组合。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述腐蚀剂的浓度为5～40％质量百分比，反应温度为40℃～90℃。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，步骤(c)中，形成源/漏区的步骤包括：

刻蚀部分所述侧墙，暴露部分所述衬底；

进行离子注入或扩散，形成源/漏区。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，步骤(c)中，形成源/漏区的步骤还可以包括：

进行外延，在所述侧墙两侧的衬底以及所述空腔的侧壁上形成外延层；

进行离子注入或扩散，所述侧墙两侧的外延层形成源/漏区。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，步骤(c)中，形成源/漏区的步骤还可以包括：

进行原位掺杂外延，在所述侧墙两侧的衬底以及所述空腔的侧壁上形成外延层，所述侧墙两侧的外延层形成源/漏区。

13.一种半导体结构，该结构包括衬底、栅极堆叠、侧墙、空腔、源/漏区，其中：

所述空腔嵌于所述衬底中，所述衬底的一部分跨接在所述空腔之上；

所述栅极堆叠形成于所述跨接在空腔上的衬底部分之上；

所述侧墙位于所述栅极堆叠的侧壁上；

所述源/漏区位于所述栅极堆叠两侧，嵌于所述跨接在空腔上的衬底部分之中。

14.根据权利要求13所述的半导体结构，其中，所述衬底的材料为单晶Si、单晶Ge、单晶SiGe或其组合。

15.根据权利要求13所述的半导体结构，其中，所述衬底的晶向为{100}。