[发明专利]一种BiCu1－xSeO基氧化物热电陶瓷材料及其制备方法无效
| 申请号： | 201210108160.9 | 申请日： | 2012-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN102643085A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 林元华;刘勇;兰金叻;刘耀春;成波;沈洋;南策文 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | C04B35/453 | 分类号： | C04B35/453;C04B35/622 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 bicu sub seo 氧化物 热电 陶瓷材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种BiCu1-xSeO基氧化物热电陶瓷材料的制备方法，其中，0≤x≤0.1；包括如下步骤：
(1)按照BiCu1-xSeO中的化学计量比，称取Bi、Cu、Se和Bi2O3并进行混合得到混合物料；
(2)将所述混合物料进行研磨得到前驱体粉末；
(3)所述前驱体粉末经放电等离子烧结即得所述BiCu1-xSeO基氧化物热电陶瓷材料。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述研磨采取干磨的方式。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于：所述干磨的转速为250rpm～500rpm，所述干磨的时间为2h～10h。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：所述干磨在惰性气氛下进行。
5.根据权利要求1-4中任一所述的制备方法，其特征在于：所述方法还包括在步骤(2)之后将所述前驱体粉末进行干燥的步骤。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于：所述干燥的温度为50℃～80℃，干燥的时间为2h～24h。
7.根据权利要求1-6中任一所述的制备方法，其特征在于：所述放电等离子烧结包括依次进行的下述过程1)和过程2)：
1)所述放电等离子烧结的温度为200℃～300℃，时间为4min～15min；
2)所述放电等离子烧结的温度为600℃～800℃，时间为4min～15min。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于：过程1)中，所述放电等离子烧结的升温速率为50℃/min～300℃/min，压力为30Mpa～60Mpa。
9.根据权利要求7或8所述的制备方法，其特征在于：过程2)中，所述放电等离子烧结的升温速率为50℃/min～300℃/min，压力为30Mpa～60Mpa。
10.权利要求1-9中任一所述方法制备的BiCu1-xSeO基氧化物热电陶瓷材料。
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