[发明专利]液晶显示装置的制造方法和液晶显示装置

权利要求书

1.一种液晶显示装置的制造方法，其特征在于，具有以下工序：

第二工序，在基板的第一区域内形成第一半导体层，在第二区域内形成第二半导体层；

第三工序，在上述第一区域内与上述第一半导体层分离地形成第一电极，在上述第二区域内与上述第二半导体层分离地形成第二电极；

第四工序，形成对上述第一区域的上述第一半导体层与上述第一电极进行电连接的第三电极，并且使上述第一半导体层和上述第二半导体层露出；以及

第五工序，将上述第二半导体层用作蚀刻量的指标而对所露出的上述第一半导体层进行蚀刻。

2.一种液晶显示装置的制造方法，其特征在于，

具有以下工序：

栅电极形成工序，在玻璃基板的像素区域内形成第一栅电极，在膜厚TEG部中形成第二栅电极；

栅极绝缘膜形成工序，在形成了上述第一栅电极和上述第二栅电极的上述玻璃基板上形成栅极绝缘膜；

半导体层形成工序，在上述像素区域的形成了上述第一栅电极的上述栅极绝缘膜上形成第一半导体层，在上述膜厚TEG部的形成了上述第二栅电极的上述栅极绝缘膜上形成第二半导体层；

像素电极形成工序，在像素区域的上述栅极绝缘膜上与上述第一半导体层分离地形成第一像素电极，在上述膜厚TEG部的周边的上述栅极绝缘膜上与上述第二半导体层分离地形成第二像素区域；

漏电极形成工序，在上述玻璃基板上将导电膜在整个平面形成之后，将光致抗蚀剂图案作为掩模，形成对上述像素区域的上述第一半导体层与上述第一像素电极进行电连接的漏电极，并且使上述第一半导体层和上述第二半导体层露出；

沟道蚀刻工序，继续将上述光致抗蚀剂图案作为掩模，将上述第二半导体层用作蚀刻量的指标而对所露出的上述第一半导体层进行蚀刻；

绝缘膜形成工序，之后在上述玻璃基板上形成绝缘膜；以及

公共电极形成工序，在上述第一像素电极上的上述绝缘膜上形成公共电极。

3.根据权利要求1所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，

上述第一半导体层和上述第二半导体层为非晶硅层。

4.根据权利要求1所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，

上述第一电极和上述第二电极为ITO电极。

5.根据权利要求1所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，

形成于上述第二区域内的上述第二电极的面积、位置被决定为在上述第五工序中上述第一半导体层与上述第二半导体层的蚀刻量为相同。

6.根据权利要求2所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，

上述导电膜为Mo膜，或者为以Mo膜、含有Al的Mo膜夹持Al膜而成的多层膜。

7.根据权利要求2所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，

上述第一半导体层和上述第二半导体层为非晶硅层，上述第一像素电极和上述第二像素电极为ITO电极。

8.一种液晶显示装置，在基板上的第一区域内设置有像素区域，其特征在于，

在上述像素区域内设置有：栅电极、设置于上述栅电极上的栅极绝缘膜、设置于栅电极上部的上述栅极绝缘膜上的半导体层和像素电极、漏电极、以及配置于上述像素电极的上部的公共电极，其中，上述漏电极配置在上述半导体层和上述像素电极上，并对上述半导体层和上述像素电极进行电连接，

在上述基板上的第二区域内设置有与上述像素电极同时形成的由同一材料形成的电极。

9.根据权利要求8所述的液晶显示装置，其特征在于，

上述栅极绝缘膜为氮化硅膜，上述半导体层为非晶硅层，上述像素电极为ITO电极。