[发明专利]多层金属-氧化硅-金属电容器的制作方法

权利要求书

1.一种多层金属-氧化硅-金属电容器的制作方法，在硅衬底上进行，其特征在于，包括循环执行如下步骤：

步骤1，沉淀高K值氧化硅；

步骤2，光刻并刻蚀去除部分所述沉淀高K值氧化硅；

步骤3，沉淀低k值介质层覆盖步骤2中剩余的高K值氧化硅；

步骤4，化学机械研磨所述低k值介质层并使所述高K值氧化硅上表面露出；

步骤5，在所述低k值介质层和所述高K值氧化硅上制作金属槽；

步骤6，在所述金属槽中填充金属后进行化学机械研磨。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述高K值氧化硅通过多次循环执行如下步骤形成：

步骤111，沉积氧化硅；

步骤112，提供含氧气体处理所述沉积的氧化硅。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述氧化硅利用PECVD方法通过硅烷和一氧化二氮在等离子环境下反应生成。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述含氧气体包括一氧化氮、一氧化二氮、一氧化碳、和二氧化碳。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述步骤111中，氧化硅沉积厚度取值范围为1纳米至10纳米。

6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述含氧气体处理过程中，气体流量取值范围为2000sccm至6000sccm，处理温度取值范围为300摄氏度至600摄氏度。

7.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述反应气体硅烷的流量取值范围为25sccm至80sccm，所述反应气体一氧化二氮的流量取值范围为10000sccm至20000sccm，硅烷与一氧化二氮的流量比取值范围为1：125至1：800，成膜速率小于100纳米/分钟。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤5中，所述金属槽的制作包括光刻后刻蚀的步骤。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤6中包括沉积铜的扩散阻挡层。