[发明专利]一种水溶性闪锌矿结构CuInS2或/和CuInS2/ZnS核壳结构量子点的制备方法无效
申请号: | 201210109882.6 | 申请日: | 2012-04-16 |
公开(公告)号: | CN102643643A | 公开(公告)日: | 2012-08-22 |
发明(设计)人: | 常津;董春红;郭伟圣 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | C09K11/62 | 分类号: | C09K11/62 |
代理公司: | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人: | 王丽 |
地址: | 300072 天*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 水溶性 闪锌矿 结构 cuins sub zns 量子 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及化合物半导体纳米材料制备技术领域,特别涉及一种水溶性闪锌矿结构的CuInS2和CuInS2/ZnS核壳结构量子点及其制备方法。
背景技术
量子点(quantum dot,QD)是由很少数目的原子或分子组成的集合体,它的尺寸一般小于10nm,通常为球形或类球形。由于量子点的尺寸接近甚至小于相应半导体体相材料的激子(电子-空穴对)Bohr半径,受激发时产生的电子和空穴被限制在狭小的三维空间,因而表现出独特的量子尺寸效应、介电限域效应、表面效应和宏观量子隧道效应,具有独特的光学性质。量子点具有量子化的价带和导带,其能量取决于纳米晶体的粒径大小。量子化的能带能量导致分立的、依赖于量子点尺寸的发射光谱,因而是一种可以通过改变尺寸精确调节荧光发射波长的发射体。与传统有机荧光素相比,量子点的光致发光特性具有如下特征:激发光谱范围宽,发射光谱可调,发射峰窄而对称且无拖尾,斯托克斯位移大,抗光降解和化学降解能力能力较强,耐光漂白。目前,量子点的研究主要集中于II-VI族元素化合物(如ZnS、CdSe)量子点,III-V族元素化合物(如InP、InAs和GaAs)量子点,以及I-III-VI族元素化合物(如CuInSe和CuInS)量子点。
随着量子点与分子生物学、医疗诊断学等学科的不断交叉发展,近红外量子点在生物成像中的应用展现出巨大的潜力。可见光区(400-700nm)成像会受到生物组织中内源性物质的吸收、散射的影响,而近红外区域(700-900nm)成像时组织的散射、吸收和自发荧光背景都较低,并能获得最大穿透深度,进行深层组织成像,因此选择近红外量子点应用于活体诊断及荧光成像等体内成像检测。其中II-VI族元素近红外量子点研究较为成熟,但一般都含有Cd、Hg和Pb等重金属元素,易于在肝、脾等器官富集表现出生物毒性,限制了它的进一步发展,尤其是在生物活体诊断领域的进一步应用。目前研究人员已经制备出荧光发射波长位于近红外光区(650~1100nm)的III-V族和I-III-VI族元素化合物油溶性量子点,如InP/ZnS、CuInSe和CuInS2量子点,为量子点在生物活体诊断领域的应用提供了可能性。由于制备III-V族元素化合物所需要的反应前体如三(三甲硅基)磷(P(TMS)3),价格高昂且化学稳定性差,所需实验条件苛刻,不利于批量化生产,因此I-III-VI族元素化合物成为了研究的首选,尤其是CuInS2量子点近五年来逐渐成为了研究的焦点。
目前对于CuInS2量子点的研究尚处于制备研究阶段,并主要集中在油溶性量子点方面。近年来发展起来的比较成熟的油溶性CuInS2量子点的合成方法主要有热分解法和热注射法。如Peng等以1-十二硫醇(DDT)作为Cu+的活性抑制剂,将硫粉溶解在十八烯中注入热的In、Cu混合前体溶液中成功制备出了CuInS2和CuInS2/ZnS量子点[参见文章<Formation of High Quality I-III-VI Semiconductor Nanocrystals by Tuning Relative Reactivity of Cationic Precursors>];Reiss等以DDT作为反应的硫源与In、Cu前体溶液混合加热至240℃反应得到CuInS2及CuInS2/ZnS量子点[参见文章<Highly Luminescent CuInS2/ZnS Core/ShellNanocrystals:Cadmium-Free Quantum Dots for In Vivo Imaging>]。由于目前大部分合成方法得到的CuInS2量子点的荧光效率普遍较低,一般不足5%。为了进一步提高CuInS2量子点的荧光效率,增强其光化学稳定性,目前比较成熟并被广泛采用的技术是通过在CuInS2量子点表面生长ZnS无机壳层,从而形成核壳结构的纳米颗粒。
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