[发明专利]发光二极管晶粒及使用该晶粒的发光二极管封装结构有效

申请号：	201210109929.9	申请日：	2012-04-16
公开（公告）号：	CN103378233A	公开（公告）日：	2013-10-30
发明（设计）人：	沈佳辉;洪梓健	申请（专利权）人：	展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司
主分类号：	H01L33/02	分类号：	H01L33/02
代理公司：	暂无信息	代理人：	暂无信息
地址：	518109 广东省深圳市宝***	国省代码：	广东;44
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摘要：
搜索关键词：	发光二极管晶粒使用封装结构
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【说明书】：

技术领域

本发明涉及一种半导体结构，尤其涉及一种发光二极管晶粒及使用该发光二极管晶粒的发光二极管封装结构。

背景技术

发光二极管作为一种高效的发光源，具有环保、省电、寿命长等诸多特点已经被广泛的运用于各种领域。

请参阅图1及图2，现有技术中发光二极管晶粒100的出光角度一般为90度至120度，其出光角中央（出光角约为0度至30度）的光线强度较强，周围的光线强度较弱导致整个发光二极管晶粒100的出光不均匀。为了改善发光二极管晶粒100的出光均匀性，常在发光二极管晶粒100正上方形成一透镜，采用这种方法制成的发光二极管封装结构，由于发光二极管晶粒100自身结构的限制，发光二极管晶粒100出射的光线主要集中在出光角中央，经过透镜折射出的光线两侧出光较弱中央较强的现象仍然存在。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种出光均匀的发光二极管晶粒及使用该发光二极管晶粒的发光二极管封装结构。

一种发光二极管晶粒，包括基板和磊晶层，所述磊晶层包括依次设置在基板上的第一半导体层、有源层和第二半导体层，所述发光二极管晶粒还包括电极及容置部，所述电极包括第一电极、第二电极及共用电极，所述第一电极和第二电极与第二半导体层电连接，所述容置部形成于所述磊晶层出光面的中间位置并贯通所述第二半导体层和有源层，所述共用电极设置在所述容置部内并位于所述第一半导体层上。

一种使用该发光二极管晶粒的发光二极管封装结构，在所述发光二极管晶粒上方形成一透镜，所述透镜环绕覆盖所述发光二极管晶粒。

与现有技术相比，本发明提供的发光二极管晶粒及发光二极管封装结构在不减少有源层发光面积的基础上，通过改变发光二极管晶粒的磊晶层的结构，改变了出光分布，既有效地增加了发光二极管晶粒两侧出光范围，同时还削弱了发光二极管晶粒中央出光光强，从而获得均匀的出光效果。

下面参照附图，结合具体实施例对本发明作进一步的描述。

附图说明

图1是现有技术中发光二极管封装结构的剖面示意图。

图2是图1中发光二极管晶粒剖面示意图。

图3是本发明第一实施例中发光二极管晶粒俯视图。

图4是本发明第一实施例中发光二极管晶粒沿图3中IV-IV方向的剖视图。

图5是本发明第二实施例中发光二极管晶粒俯视图。

图6是本发明第二实施例中发光二极管晶粒沿图5中VI-VI方向的剖视图。

图7是本发明第一实施例中发光二极管晶粒覆盖透镜后的剖面示意图。

图8是本发明第二实施例中发光二极管晶粒覆盖透镜后的剖面示意图。