[发明专利]DDMOS台阶栅氧化层实现的工艺方法有效
| 申请号： | 201210110034.7 | 申请日： | 2012-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN103377893A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 邢超;刘剑;孙尧 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | ddmos 台阶 氧化 实现 工艺 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种DDMOS台阶栅氧化层实现的工艺方法，其特征在于：包含如下工艺步骤：
第1步，在P型硅衬底上进行N阱注入，然后场氧化，涂覆光刻胶并露光显影，进行P阱注入；
第2步，注入工艺之后，通过光刻胶刻蚀使光刻胶开口增加；
第3步，进行湿法刻蚀，去除开口区域即DDMOS的P阱注入区域的上方的氧化层；
第4步，光刻胶剥离，并进行硅片表面清洗；
第5步，依传统工艺在整个器件表面生长栅氧化层；
第6步，淀积多晶硅栅极并刻蚀，台阶状的栅氧化层及多晶硅栅极制作完毕。
2.如权利要求1所述的DDMOS台阶栅氧化层实现的工艺方法，其特征在于：所述第1步中N阱深度大于P阱，以使N阱在P阱下方将P阱包住。
3.如权利要求1所述的DDMOS台阶栅氧化层实现的工艺方法，其特征在于：所述第2步中光刻胶刻蚀开口单边控制在0.2μm～0.4μm之间，确保光刻胶窗口将P阱区完全打开，保证P阱区全部露出。
4.如权利要求1所述的DDMOS台阶栅氧化层实现的工艺方法，其特征在于：所述第6步中生成的台阶状部分位于P阱区正上方靠近漏端的外侧不侵入P阱上方的沟道区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
