[发明专利]一种太赫兹频段可调多带吸波体

权利要求书

1.一种太赫兹频段可调多带吸波体，其特征在于：包括至少4个呈矩阵排列的吸波体单元，其中每个吸波体单元均主要由含硅基体(1)、金属层(2)、介质体(3)、金属十字叉(4)和空心田字框(5)组成；

金属层(2)的上下表面分别与介质体(3)的下表面和含硅基体(1)的上表面相贴，其中介质体(3)位于金属层(2)的正上方、含硅基体(1)位于金属层(2)的正下方；

空心田字框(5)水平贴附于介质体(3)的上表面，金属十字叉(4)则水平嵌设在介质体(3)的中部，空心田字框(5)所处平面与金属十字叉(4)所处平面相平行；

金属十字叉(4)的几何中心与空心田字框(5)的几何中心重合，而且构成金属十字叉(4)的2条金属条(4-1)的中心轴线与构成空心田字框(5)的内部4条金属叉齿(5-1)的中心轴线重合。

2.根据权利要求1所述的一种太赫兹频段可调多带吸波体，其特征在于：金属层(2)、金属十字叉(4)和空心田字框(5)由金属材料制成。

3.根据权利要求1所述的一种太赫兹频段可调多带吸波体，其特征在于：金属层(2)、金属十字叉(4)和空心田字框(5)的厚度均为0.1～1.0微米。

4.根据权利要求1所述的一种太赫兹频段可调多带吸波体，其特征在于：介质体(3)由聚合物或者氧化物制成。

5.根据权利要求1所述的一种太赫兹频段可调多带吸波体，其特征在于：金属层(2)与金属十字叉(4)之间的距离、以及空心田字框(5)与金属十字叉(4)之间的距离均介于0.2～10微米之间。

6.根据权利要求1所述的一种太赫兹频段可调多带吸波体，其特征在于：每个吸波体单元的横剖面均为正方形。

7.根据权利要求1所述的一种太赫兹频段可调多带吸波体，其特征在于：矩阵的边长大于入射太赫兹波束的1.3倍。