[发明专利]高耐蚀电镀工艺及用于电子元件的高耐蚀电镀工艺有效
申请号: | 201210110944.5 | 申请日: | 2012-04-16 |
公开(公告)号: | CN102677114A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
发明(设计)人: | 王涧鸣;王俊;陈学银 | 申请(专利权)人: | 深圳君泽电子有限公司 |
主分类号: | C25D5/10 | 分类号: | C25D5/10;C25D5/34;C25D5/48 |
代理公司: | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人: | 张全文 |
地址: | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高耐蚀 电镀 工艺 用于 电子元件 | ||
1.一种高耐蚀电镀工艺,其特征在于,包括以下步骤,对工件进行去除氧化层去除及使工件表面均一化的前处理,对所述工件进行镀底材,对所述工件进行至少两次镀金,再对所述工件采用封孔剂进行封孔处理。
2.如权利要求1所述的高耐蚀电镀工艺,其特征在于,所述前处理为抛光或微蚀。
3.如权利要求1所述的高耐蚀电镀工艺,其特征在于,进行所述前处理之前,先对所述工件进行脱脂处理。
4.如权利要求1所述的高耐蚀电镀工艺,其特征在于,于对所述工件进行一次镀金之后,对所述工件进行冲洗及风干,再进行下一次镀金。
5.如权利要求1所述的高耐蚀电镀工艺,其特征在于,对所述工件进行四次镀金,镀金时采用的镀金液浓度为5至12g/L。
6.如权利要求5所述的高耐蚀电镀工艺,其特征在于,设置四个镀金槽,其中前三个镀金槽的镀金液浓度为7g/L,第四个镀金槽的镀金液浓度为5g/L。
7.如权利要求1至5中任一项所述的高耐蚀电镀工艺,其特征在于,所述镀金时采用浸镀或刷镀或喷点镀的方式。
8.如权利要求1至5中任一项所述的高耐蚀电镀工艺,其特征在于,所述封孔剂为沉积型封孔剂。
9.如权利要求1至5中任一项所述的高耐蚀电镀工艺,其特征在于,所述工件上镀金的厚度为0.05μm至0.1μm。
10.一种用于电子元件的高耐蚀电镀工艺,所述电子元件具有功能凸点,其特征在于,对所述电子元件进行去除氧化层去除及使所述电子元件表面均一化的前处理,对所述电子元件进行镀底材,对所述电子元件进行至少两次镀金,于至少两次镀金之前或之间或之后对所述功能凸点进行局部镀金,再对所述电子元件采用封孔剂进行封孔处理。
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