[发明专利]包括多个谐振结构的装置和带有正交抑制的显微加工的传感器

权利要求书

1.一种带有正交抑制的显微加工的传感器，包括：

正交抑制电极；和

邻近所述正交抑制电极定位的谐振器质量；

所述谐振器质量能够与所述正交抑制电极基本平行地移动，所述谐振器质量包括槽口，所述槽口邻近所述正交抑制电极的一部分而形成，使得直接邻近所述正交抑制电极的所述谐振器质量的长度随着所述谐振器质量相对于所述正交抑制电极移动而变化，其中，所述正交抑制电极能够对所述谐振器质量产生横向力，所述横向力根据直接邻近所述正交抑制电极的所述谐振器质量的长度而变化。

2.根据权利要求1所述的显微加工的传感器，其中，所述横向力是静电力。

3.根据权利要求1所述的显微加工的传感器，还包括被施加于所述正交抑制电极的恒定电压，其中，所述横向力与直接邻近所述正交抑制电极的所述谐振器质量的长度成比例。

4.根据权利要求1所述的显微加工的传感器，还包括被施加于所述正交抑制电极的可变电压，其中，所述横向力作为直接邻近所述正交抑制电极的所述谐振器质量的长度和所述可变电压的函数而变化。

5.根据权利要求1所述的显微加工的传感器，还包括：至少一个驱动电极，所述至少一个驱动电极用于使所述谐振器质量与所述正交抑制电极基本平行地移动。

6.一种带有正交抑制的显微加工的传感器，包括：

多个正交抑制电极；和

多个谐振器质量，每个谐振器质量均邻近所述多个正交抑制电极中的相应一个正交抑制电极定位并能够与所述谐振器质量的相应正交抑制电极基本平行地移动，每个谐振器质量均包括槽口，所述槽口邻近所述谐振器质量的相应正交抑制电极的一部分而形成，使得直接邻近所述正交抑制电极的所述谐振器质量的长度随着所述谐振器质量相对于所述正交抑制电极移动而变化，其中，每个正交抑制电极均能够对邻近的谐振器质量产生横向力，所述横向力根据直接邻近所述正交抑制电极的所述谐振器质量的长度而变化。

7.根据权利要求6所述的显微加工的传感器，还包括被施加于所述多个正交抑制电极中的、确定用于减少所述谐振器质量的正交的至少一个正交抑制电极的电压。

8.根据权利要求6所述的显微加工的传感器，其中，所述多个谐振器质量通过多个杠杆、支点和挠性件机械地连接，以产生用于所述多个谐振器质量的基本单一的谐振频率。

9.根据权利要求8所述的显微加工的传感器，其中，所述多个谐振器质量包括：通过挠性件机械地连接的第一对质量；以及通过挠性件机械地连接的第二对质量，其中，所述第一对质量和所述第二对质量彼此反相位地谐振。

10.根据权利要求6所述的显微加工的传感器，其中，所述多个谐振器质量通过公共的驱动电路和速度传感电路而电连接，以便以基本单一的频率谐振。

11.一种带有正交抑制的显微加工的传感器，包括：

基片；

框架，所述框架通过第一多个悬挂挠性件悬挂于所述基片上方并基本平行于所述基片，所述第一多个悬挂挠性件沿着所述框架的外周布置，所述第一多个悬挂挠性件固定于所述基片并形成为基本防止所述框架在所述框架的平面内相对于所述基片的平移运动，但允许所述框架围绕与所述框架及所述基片平行的轴线的旋转运动；

多个正交抑制电极；以及

多个谐振结构，所述多个谐振结构布置在所述框架的内周中，所述谐振结构基本在所述框架的平面内运行，所述谐振结构包括多个谐振器质量，每个谐振器质量均邻近所述多个正交抑制电极中的相应一个正交抑制电极定位并能够与所述谐振器质量的相应正交抑制电极基本平行地移动，每个谐振器质量均包括槽口，所述槽口邻近所述谐振器质量的相应正交抑制电极的一部分而形成，使得直接邻近所述正交抑制电极的所述谐振器质量的长度随着所述谐振器质量相对于所述正交抑制电极移动而变化，其中，每个正交抑制电极均能够对邻近的谐振器质量产生横向力，所述横向力根据直接邻近所述正交抑制电极的所述谐振器质量的长度而变化。

12.根据权利要求11所述的显微加工的传感器，其中，所述多个谐振结构仅悬挂于所述框架的内周。

13.根据权利要求11所述的显微加工的传感器，其中，所述多个谐振器质量通过多个杠杆、支点和挠性件机械地连接，以产生用于所述多个谐振器质量的基本单一的谐振频率。