[发明专利]电子光学排布结构、多电子分束检验系统和方法

权利要求书

1.一种电子光学排布结构，其提供一次电子束路径和二次电子束路径，该一次束路径用于从一次电子源指向可定位在该排布结构的物面中的物体的一次电子束，该二次束路径用于源自物体的二次电子，该电子显微术排布结构包括磁体排布结构，该磁体排布结构具有：

第一磁场区，由一次电子束路径和二次电子束路径穿过，用于将一次电子束路径和二次电子束路径相互分开，

第二磁场区，布置在第一磁场区的上游的一次电子束路径中，其中，二次电子束路径不穿过第二磁场区，并且其中，第一磁场区和第二磁场区沿基本上相反的方向使一次电子束路径偏转，

第三磁场区，布置在第一磁场区的下游的二次电子束路径中，其中，一次电子束路径不穿过第三磁场区，并且其中，第一磁场区和第三磁场区沿基本上相同的方向使二次电子束路径偏转。

2.根据权利要求1所述的电子光学排布结构，其中，除第一磁场区和第二磁场区以外，在一次电子束路径中没有设置使一次电子束路径偏转大于5°的其他磁场区。

3.根据权利要求2所述的电子光学排布结构，其中，第二磁场区对一次电子束路径的偏转角比第一磁场区对一次电子束路径的偏转角要大。

4.根据权利要求1所述的电子光学排布结构，其中，第一磁场区对二次电子束路径的偏转角比第二磁场区对一次电子束路径的偏转角要小。

5.根据权利要求1所述的电子光学排布结构，其中，在第二磁场区与第一磁场区之间的一次电子束路径中设置有基本上没有磁场的第一漂移区。

6.根据权利要求1所述的电子光学排布结构，其中，在第一磁场区与第三磁场区之间的二次电子束路径中设置有基本上没有磁场的第二漂移区。

7.根据权利要求1所述的电子光学排布结构，还包括设置在第一磁场区与物面之间的物镜，其中，一次电子束路径和二次电子束路径穿过该物镜。

8.根据权利要求1所述的电子光学排布结构，还包括设置在第一磁场区与物面之间的至少一个电极，其中，一次电子束路径横穿所述至少一个电极，以使一次电子在撞在物体上之前减速，其中，二次电子束路径穿过所述至少一个电极，以使二次电子在从物体发出之后加速。

9.根据权利要求8所述的电子光学排布结构，还包括驱动器，该驱动器用于向所述至少一个电极提供可调节电压。

10.根据权利要求9所述的电子光学排布结构，还包括控制器，该控制器用于根据提供给所述至少一个电极的电压，相对于第一磁场区中的磁场强度，改变第三磁场区中的磁场强度。

11.根据权利要求10所述的电子光学排布结构，其中，所述磁体排布结构还包括位于第三磁场区的下游的二次电子束路径中的第四磁场区，其中，第四磁场区中的磁场强度是可以相对于第三磁场区中的磁场强度进行调节的。

12.根据权利要求11所述的电子光学排布结构，还包括控制器，该控制器用于根据提供给所述至少一个电极的电压，相对于第三磁场区中的场强改变第四磁场区中的场强。

13.根据权利要求11所述的电子光学排布结构，其中，第三磁场区和第四磁场区基本上彼此直接相邻地布置在二次电子束路径中。

14.根据权利要求9所述的电子光学排布结构，还包括布置在第三磁场区的下游的二次电子束路径中的至少一个四极透镜。

15.根据权利要求14所述的电子光学排布结构，还包括控制器，该控制器用于根据提供给所述至少一个电极的电压，改变四极透镜的场强。

16.根据权利要求11所述的电子光学排布结构，还包括布置在第四磁场区与四极透镜之间的二次电子束路径中的第五磁场区。

17.根据权利要求16所述的电子光学排布结构，还包括控制器，该控制器用于根据提供给所述至少一个电极的电压，相对于第三磁场区中的场强改变第五磁场区中的场强。

18.根据权利要求16所述的电子光学排布结构，其中，第四磁场区和第五磁场区基本上彼此直接相邻地布置在二次电子束路径中。

19.根据权利要求16所述的电子光学排布结构，其中，二次电子在第一磁场区与第五磁场区之间的束路径的区域中形成了物面的中间像。