[发明专利]用于局部电接触半导体结构的金属结构的制造方法

权利要求书

1.一种用于局部电接触半导体结构的金属结构(4a)的制造方法，其中，所述半导体结构为太阳能光伏电池或太阳能光伏电池的前体，并且具有至少一个半导体层，所述方法包括下列步骤：

步骤a，在半导体层上涂覆至少一层电绝缘的隔离层(2，2a)；

步骤b，在隔离层上涂覆至少一层分离层(3，3a)；

步骤c，在分离层上形成局部开口；

步骤d，在隔离层上形成局部开口；

步骤e，至少部分地在分离层(3，3a)上涂覆至少一层金属层，并且在分离层(3，3a)以及隔离层(2，2a)的局部开口区域内的半导体层上涂覆至少一层金属层；

步骤f，剥离分离层；

其中，有时可在步骤a和/或步骤b之前涂覆另外的中间层，其特征在于，步骤c和d合并为一个步骤CD，并且在步骤CD中通过材料剥蚀的方法，同时在分离层(3，3a)和隔离层(2，2a)上形成局部开口。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤CD中，借助激光束在分离层(3，3a)以及隔离层(2，2a)上形成局部开口。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，借助激光化学处理(LCP)方法形成局部开口，并且另通过LCP在半导体层(1)的局部开口区域构造局部掺杂区域。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，借助LCP在半导体层(1)内构造至少两个掺杂类型相反的掺杂区域。

5.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，在步骤e中，借助定向金属化工艺涂覆金属层(4)，其中，优选金属化工艺的分离方向几乎与分离层(3，3a)的表面垂直。

6.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，在步骤f中，通过湿化学方法剥离分离层(3，3a)。

7.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，在步骤f中，通过热学方法剥离分离层(3，3a)，优选采用热湿化学法。

8.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，在步骤f中，通过机械方法剥离分离层(3，3a)。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在步骤b中涂覆可剥离的分离层(3，3a)，其中，在步骤f中通过机械方法剥离所述分离层(3，3a)。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，在步骤b中涂覆薄膜状的分离层(3，3a)，优选以薄膜状涂覆所述分离层(3，3a)，以及/或者通过涂覆可自我固化的物质，尤其是胶泥，形成所述薄膜状的分离层(3，3a)。

11.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，在步骤CD中或在步骤CD后，通过半导体层(1)内的材料剥蚀，大致在隔离层(2，2a)的局部开口区域内形成凹坑，所述凹坑的深度优选大于30微米，最好大于50微米，进一步优选为大于75微米，尤其是50至100微米之间。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述凹坑至少具有一个与半导体层(1)表面斜切的侧面，优选凹坑的纵向与半导体层(1)表面斜切，与所述表面之间的角度尤其在30度至60度之间。

13.根据权利要求8至10中任一项以及至少根据权利要求12所述的方法，其特征在于，这样来构造所述凹坑，使其第一斜面与半导体层(1)表面之间呈钝角，第二斜面与半导体层(1)表面之间呈锐角，并且在步骤f中，这样通过机械方法将分离层(3，3a)与半导体层(1)剥离，使得首先在第一平面与半导体表面的交界处将分离层(3，3a)剥离，然后在第二平面与半导体表面的交界处将分离层(3，3a)剥离，或者，在步骤f中，这样通过机械方法将分离层(3，3a)与半导体层(1)剥离，并且分离层(3，3a)的剥离方向基本与凹坑线型纵深的方向平行。

14.根据权利要求9至13中任一项所述的方法，其特征在于，在步骤e中，借助非定向工艺，优选借助丝印工艺，涂覆所述金属层(4)。

15.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，在步骤f后，对所述金属层进行强化，特别是电镀强化。