[发明专利]垂直定向的半导体器件及其屏蔽结构

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底；

电子器件，被设置在所述衬底上方，所述电子器件包括开口；以及

屏蔽器件，被设置在所述衬底上方并围绕着所述电子器件，所述屏蔽器件包括多个伸长件，所述伸长件的子集延伸穿过所述电子器件的所述开口；

其中，所述电子器件和所述屏蔽器件中的至少一个形成在位于所述衬底上方的互连结构中。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述电子器件的所述开口通过线圈形成，所述线圈具有与所述衬底的表面垂直的缠绕定向，所述互连结构形成在所述衬底的表面上。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述线圈在沿着与所述屏蔽结构的所述伸长件延伸的方向垂直的方向延伸：

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述互连结构包括多层金属层，所述多层金属层均包含多条金属线；

所述电子器件包括被分别设置在第一金属层中和第二金属层中的第一元件和第二元件，所述第一金属层和所述第二金属层被所述开口分隔开；以及

所述屏蔽器件的所述伸长件的所述子集被设置在第三金属层中，所述第三金属层位于所述第一金属层和所述第二金属层之间。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述伸长件相互平行地延伸。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述电子器件包括变压器，所述变压器具有初级线圈和次级线圈，所述初级线圈和所述次级线圈均缠绕在与所述衬底的表面垂直的平面中，所述屏蔽器件的所述伸长件的所述子集延伸穿过所述初级线圈和所述次级线圈。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述初级线圈和所述次级线圈具有不同线圈宽度。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述电子器件包括电感电容(LC)振荡回路，所述电感电容振荡回路包含垂直缠绕的感应线圈和相互交错的电容器。

9.一种半导体器件，包括：

衬底；

电子器件，被设置在所述衬底上方，所述电子器件包括：沿着第一方向延伸的伸长的第一元件和沿着第二方向延伸的伸长的第二元件，所述第二元件被设置在所述第一元件之上；以及

屏蔽结构，被设置在所述衬底上方并屏蔽所述屏蔽结构中的所述电子器件，所述屏蔽结构包括多条带状线，所述多条带状线均在不与所述第一方向和所述第二方向平行的方向上延伸；

其中：

所述带状线的第一子集被设置在所述电子器件的所述第一元件之下；

所述带状线的第二子集被设置在所述电子器件的所述第一元件之上并被设置在所述电子器件的所述第二元件之下；并且

所述带状线的第三子集，被设置在所述电子器件的所述第二元件之上。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中：

所述第一方向和所述第二方向基本上相同；以及

所述屏蔽结构的所述带状线的延伸方向基本上垂直于所述第一方向和所述第二方向。