[发明专利]光掩模基板和光掩模

权利要求书

1.一种光掩模基板，由其制造光掩模，该光掩模包括透明衬底和在其上形成的包括对曝光的光透明的区域和有效不透明的区域的掩模图案，所述光掩模基板包括：

透明衬底，

设置在该衬底上的蚀刻截止膜，以及介入其间的相移膜，所述单层或多层构造的蚀刻截止膜耐氟干法蚀刻并可通过氯干法蚀刻去除，

与所述蚀刻截止膜邻接设置，并且由含过渡金属和硅的材料组成的单层构成或由至少包括由含过渡金属和硅的材料组成的一层的多层构成的光屏蔽膜，和

与所述光屏蔽膜邻接设置并由单层或多层构成的减反射膜。

2.权利要求1的光掩模基板，其中所述蚀刻截止膜仅由铬构成，或由含铬以及从氧、氮和碳中选出的至少一种元素的铬化合物构成。

3.权利要求1的光掩模基板，其中所述蚀刻截止膜仅由钽构成或由含钽并且不含硅的钽化合物构成。

4.权利要求1的光掩模基板，其中所述蚀刻截止膜厚度为2到20nm。

5.权利要求1的光掩模基板，其中构成所述光屏蔽膜层的材料含比例为1∶4-15的过渡金属和硅。

6.权利要求1的光掩模基板，其中构成所述光屏蔽膜层的材料是过渡金属与硅的合金或含过渡金属、硅以及从氧、氮和碳中选出的至少一种元素的过渡金属硅化合物。

7.权利要求1的光掩模基板，其中构成所述光屏蔽膜层的材料是含过渡金属、硅和氮的过渡金属硅化合物。

8.权利要求7的光掩模基板，其中所述光屏蔽膜的氮含量为5原子％到40原子％。

9.权利要求1的光掩模基板，其中所述光屏蔽膜由多层构成，该多层包括由含铬以及从氧、氮和碳中选出的至少一种元素的铬化合物构成的层。

10.权利要求1的光掩模基板，其中所述光屏蔽膜由两层构成，即相邻于透明衬底形成的第一光屏蔽层和相邻于减反射膜形成的第二光屏蔽层，第一光屏蔽层由含过渡金属、硅和氧和/或氮的过渡金属硅化合物构成，且第二光屏蔽层由含铬和氧和/或氮的铬化合物构成。

11.权利要求1的光掩模基板，其中所述光屏蔽膜由多层构成，其中与所述减反射膜邻接设置的层对曝光的光具有至少1.5的消光系数k。

12.权利要求1的光掩模基板，其中所述光屏蔽膜的厚度为10到80nm。

13.权利要求1的光掩模基板，其中所述减反射膜包括含过渡金属、硅和氧和/或氮的过渡金属硅化合物的层。

14.权利要求1的光掩模基板，其中所述减反射膜包括单独的铬层或含铬和氧和/或氮的铬化合物的层。

15.权利要求1的光掩模基板，其中所述减反射膜由两层构成，即相邻于透明衬底形成的第一减反射层和远离透明衬底形成的第二减反射层，第一减反射层由包括过渡金属、硅和氧和/或氮的过渡金属硅化合物构成，且第二减反射层由含铬和氧和/或氮的铬化合物构成。

16.权利要求14的光掩模基板，其中在所述减反射膜中，铬化合物层的铬含量至少为50原子％。

17.权利要求1的光掩模基板，其还包括与所述减反射膜邻接设置并且由耐氟干法蚀刻并可通过氯干法蚀刻去除的单层或多层构成的蚀刻掩模膜。

18.权利要求17的光掩模基板，其中所述蚀刻掩模膜仅由铬构成或由含铬以及从氧、氮和碳中选出的至少一种元素的铬化合物构成。

19.权利要求17的光掩模基板，其中所述蚀刻掩模膜的厚度为2到30nm。

20.权利要求1的光掩模基板，其中所述过渡金属是从钛、钒、钴、镍、锆、铌、钼、铪、钽和钨中选出的至少一种元素。

21.权利要求1的光掩模基板，其中所述过渡金属是钼。

22.权利要求1的光掩模基板，其中所述相移膜是半色调相移膜。

23.权利要求1的光掩模基板，其中所述蚀刻截止膜、所述光屏蔽膜、所述减反射膜和所述相移膜的组合的光密度为至少2.5。

24.一种光掩模，是通过将权利要求1的光掩模基板图案化所获得的。