[发明专利]一种近紫外光激发白光LED用ZnO基荧光粉材料及其制备方法有效
申请号: | 201210112947.2 | 申请日: | 2012-04-17 |
公开(公告)号: | CN102660264A | 公开(公告)日: | 2012-09-12 |
发明(设计)人: | 谭永胜;方泽波 | 申请(专利权)人: | 绍兴文理学院 |
主分类号: | C09K11/62 | 分类号: | C09K11/62 |
代理公司: | 绍兴市越兴专利事务所 33220 | 代理人: | 蒋卫东 |
地址: | 312000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 紫外光 激发 白光 led zno 荧光粉 材料 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种近紫外光激发白光LED用ZnO基荧光粉材料及其制备方法。属于照明技术领域,尤其涉及白光LED照明领域。
背景技术
随着现代社会经济的发展,能源消耗和环境污染的问题日益严重,节能环保的照明方式越来越受到各国政府和业界的关注。白光LED由于具有体积小、能耗少、寿命长,无污染等显著优点,被业内人士誉为第四代照明技术,将在未来十年内成为全球最主要的照明方式。2010年,我国的LED照明及相关产业产值已达1500亿元,由于今后我国将逐步禁止生产和销售白炽灯,因此LED照明将具有更加广阔的市场空间。
目前,实现白光LED照明主要有以下三种形式:一种是将红、绿、蓝三基色的LED芯片组合在一起实现白光,但是由于不同的LED芯片随温度升高时发光亮度下降的程度差别非常大,这样就容易造成混合得到的白光色坐标的漂移。二是采用GaN基蓝色LED芯片激发黄色的荧光粉,由芯片发射的蓝光和荧光粉所发射的黄光组合得到白光,这种方法由于缺少红色光成分,光的显色指数较低。三是利用近紫外LED芯片激发三基色荧光粉得到白光,这是一种最理想的白光LED技术,可以具有高的显色指数和发光效率,但是缺乏能被近紫外、蓝紫光有效激发的荧光粉。因此,开发能被近紫外光有效激发的白光LED用荧光粉成为一项紧迫的任务,具有广阔的应用前景。
氧化锌的禁带宽度为3.37eV,其在380nm左右的近紫外光区域有着强烈的吸收,是一种很有应用前景的近紫外光激发白光LED用荧光粉材料。纯ZnO粉末可以产生很强的绿光,是一种高效的商用绿色荧光粉。近年来,不同的研究者相继在ZnO材料中发现了黄光和蓝光等绿光以外的发光峰,这大大拓宽了ZnO在发光材料中的应用范围。另一方面,由于在近紫外光区域有着很强的吸收以及其良好的热和化学稳定性,氧化锌也是一种很好的基质材料,Tb3+、Eu3+等稀土元素掺杂的ZnO近年来受到人们的广泛关注。一些研究小组在稀土Eu掺杂的ZnO纳米材料中发现了较强的Eu3+离子的红色特征发射峰。这说明,结合ZnO基质自身深能级的蓝、绿色发光和Eu3+离子的红色特征发光,是获得白光的一种可能途径。但这种白光LED用高亮度ZnO基白色荧光粉的研究和应用还未见报道。
发明内容
本发明的目的在于提供了一种近紫外光激发白光LED用ZnO基荧光粉材料及其制备方法,本发明的荧光粉材料在近紫外区域有着很强的吸收,发射光谱为一几乎覆盖整个可见光区的宽带白光。具有发光效率高,制备方法简单,量产成本低,经济效益好,可以配合近紫外光LED芯片实现白光LED照明的特点。
为了达成上述目的,本发明的解决方案是:
一种近紫外光激发白光LED用ZnO基荧光粉材料,以ZnO(纯度:99.99%)、Eu2O3(纯度:99.9%)及Ga2O3(纯度:99.99%)粉末为原料,其原料的质量比为:0.001≤Ga2O3/ZnO≤0.058;0.002≤Eu2O3/ZnO≤0.216,形成以镓(Ga)和铕(Eu)掺杂ZnO的荧光粉材料,其分子式为Zn1-x-yGaxEuyO,其中Ga及Eu的掺杂含量范围分别为:0.001≤x≤0.05,0.001≤y≤0.1。
所述的ZnO、Eu2O3及Ga2O3粉末原料的质量比优选为:Ga2O3/ZnO=0.023;Eu2O3/ZnO=0.108,其中Ga及Eu的掺杂含量范围分别为:x=0.02,y=0.05。
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