[发明专利]导模法生长钇钕石榴石单晶体的生产工艺

权利要求书

1.导模法生长钇钕石榴石单晶体的生产工艺，其特征在于：所述的生产工艺具体包括以下步骤，

①装炉：

a、首先建立感应加热系统、保温系统、温度调节系统，对模具进行设计、加工及装配；

b、称取足量晶体生长原料，放入装好模具的坩埚中进入炉体；

c、选取规定方向的籽晶，与籽晶杆连接好；

②抽真空：

a、抽前级--真空度抽达2×10-2毫米汞柱；

b、抽炉体低真空--热偶管电流值达130mA；

c、抽高真空至5×10-5托。

d、充入高纯氩气，气压达：0.15kgf/cm2；

③升温化料：

启动中频感应电源，分五步逐渐升高中频电压，至化料温度2050℃；

④晶体生长：

a、引晶

摇下籽晶杆，使籽晶与模具液膜熔融，10分钟后，开动提拉装置进行引晶生长；

b、收颈

晶体生长开始后，升温5℃左右，实现晶体收颈生长；

c、扩肩

收颈生长完成后降低温度，实现晶体扩肩生长，直至生长的晶体覆盖膜具端面；

d、等径生长

晶体覆盖膜具端面后，调节温度，使晶体保持等径生长状态，晶体生长速度为30-50mm/h，直至晶体生长结束，关闭晶体生长提拉机构；

e、降温，断电、停水、拆炉

晶体生长结束后，按18-22℃/min的速度实施降温操作，最后降至较低温度(电压控制在100-50V)，并在此电压下保持半1-2时之后断电，断电后3小时左右停水，停水3小时以后拆炉，取晶体；

⑤检验：

用肉眼看晶体里面的有无裂缝。