[发明专利]氮氧化硅薄膜的制造方法无效
| 申请号： | 201210113406.1 | 申请日： | 2012-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN103377906A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 杨继业;姚毅 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/283 | 分类号： | H01L21/283 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化 薄膜 制造 方法 | ||
1.一种氮氧化硅薄膜的制造方法，采用立式L P C V D炉管进行氮氧化硅薄膜生长，将硅片产品放置于所述立式L P C V D炉管的制品作业区域，形成所述氮氧化硅薄膜的氧源为一氧化二氮，其特征在于：在所述一氧化二氮进入到所述制品作业区域参与反应形成所述氮氧化硅薄膜之前，对所述一氧化二氮进行预加热并使所述一氧化二氮充分分解。
2.如权利要求1所述的氮氧化硅薄膜的制造方法，其特征在于：通过在所述立式L P C V D炉管的陪片放置区域放置石英片来对所述一氧化二氮进行预加热，所述石英片的直径和所述硅片产品的直径相同，所述石英片的厚度为3毫米以上，所述石英片能提高陪片放置区域的热容量从而达到对流经过的所述一氧化二氮进行预热并促进所述一氧化二氮分解。
3.如权利要求1所述的氮氧化硅薄膜的制造方法，其特征在于：通过在所述立式L P C V D炉管的外部加设一加热装置来实现对所述一氧化二氮进行预加热，该加热装置保证使所述一氧化二氮在进入所述立式LP C V D炉管前温度达到200℃以上。
4.如权利要求1所述的氮氧化硅薄膜的制造方法，其特征在于：通过在所述立式L P C V D炉管的底部设置一蛇形喷嘴来实现对所述一氧化二氮进行预加热，所述一氧化二氮进入所述立式L P C V D炉管后在所述蛇形喷嘴流动，该蛇形喷嘴能延长所述一氧化二氮在所述立式L P C VD炉管底部的流经时间从而对实现对所述一氧化二氮进行预加热。
5.如权利要求1所述的氮氧化硅薄膜的制造方法，其特征在于：通过将所述立式L P C V D炉管的晶舟的底部设置为一石英保温桶的结构来实现对所述一氧化二氮进行预加热。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
