[发明专利]具有用于应力隔离的中央锚的MEMS 装置有效

专利信息
申请号: 201210114188.3 申请日: 2012-04-18
公开(公告)号: CN102745641A 公开(公告)日: 2012-10-24
发明(设计)人: 林义真;G·G·李;A·C·迈克奈尔;L·Z·张;T·F·米勒 申请(专利权)人: 飞思卡尔半导体公司
主分类号: B81B7/00 分类号: B81B7/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 刘倜
地址: 美国得*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 具有 用于 应力 隔离 中央 mems 装置
【权利要求书】:

1.微机电系统MEMS装置,包括:

基板;

第一结构,包括主体和从所述主体的外周界向外延伸的固定指,其中所述主体的中央区域耦接到所述基板,并且所述第一结构的其余部分悬置在所述基板上;

框架结构,其围绕所述第一结构,并且悬置在所述基板上,所述框架结构可移动地耦接到所述第一结构,所述框架结构包括从所述框架结构的内周界向内延伸的可移动指,所述可移动指设置在一对所述固定指之间;

锚元件,其延伸穿过所述第一结构的所述主体,并且耦接到所述基板;以及

信号迹线,其将所述框架结构电连接到所述锚元件,并且所述框架结构、所述信号迹线、所述锚元件被与所述第一结构电隔离。

2.如权利要求1所述的MEMS装置,其中所述一对固定指包括第一固定指和第二固定指,并且所述MEMS装置进一步包括延伸穿过所述第一结构的至少一个隔离沟槽,所述至少一个隔离沟槽将所述第一固定指与所述第二固定指电隔离。

3.如权利要求2所述的MEMS装置,其中所述锚元件是第一锚元件,所述信号迹线是第一信号迹线,并且所述MEMS装置进一步包括:

第二锚元件,其延伸穿过所述第一结构的所述主体,邻近所述中央区域并且耦接到所述基板;

第二信号迹线,其将所述第一固定指与所述第二锚元件电连接;

第三锚元件,其延伸穿过所述第一结构的所述主体,邻近所述中央区域并且耦接到所述基板;以及

第三信号迹线,其将所述第二固定指与所述第三锚元件电连接,其中所述第三锚元件和所述第三信号迹线被与所述第二锚元件和所述第二信号迹线电隔离。

4.如权利要求3所述的MEMS装置,其中:

所述第一结构包括多对从所述主体的所述外周界向外延伸的所述固定指;

所述框架结构包括多个从所述框架结构的内周界向内延伸的可移动指,每一个所述可移动指设置在所述多对固定指中的一对固定指之间;

所述第二信号迹线将所述多对固定指中的每一对中的第一指电连接到所述第二锚元件;以及

所述第三信号迹线将所述所述多对固定指中的所述每一对中的第二指电连接到所述第三锚元件。

5.如权利要求1所述的MEMS装置,还包括:

隔离沟槽,其在所述主体和所述固定指之间延伸穿过所述第一结构,从而每一所述固定指横向锚固到所述隔离沟槽中的一个,所述隔离沟槽包括绝缘体材料。

6.如权利要求5所述的MEMS装置,还包括:

第二锚元件,其延伸穿过所述主体,邻近所述中央区域,并且耦接到所述基板;

第三锚元件,其延伸穿过所述主体,邻近所述中央区域,并且耦接到所述基板,所述第三锚元件被与所述第二锚元件电隔离;

第一电连接,其位于所述隔离沟槽中的至少一个的上面,并且将所述固定指的对中的第一指电连接到所述第二锚元件;以及

第二电连接,其位于所述隔离沟槽中的另一个的上面,并且将所述固定指的对中的第二指电连接到所述第三锚元件,并且所述第二电连接被与所述第一电连接电隔离。

7.如权利要求1所述的MEMS装置,还包括:

至少一个隔离沟槽,其插入在所述第一结构和所述框架结构之间,所述隔离沟槽将所述框架结构与所述第一结构电隔离。

8.如权利要求1所述的MEMS装置,其中所述信号迹线包括:

迹线结构,其具有绝缘层和导电层;

第一通孔,处于所述迹线结构的第一端,所述第一通孔将所述框架结构与所述导电层电耦接;以及

第二通孔,处于所述迹线结构的第二端,所述第二通孔将所述锚元件与所述导电层电耦接,并且所述绝缘层插入在所述第一结构和所述导电层之间。

9.如权利要求1所述的MEMS装置,其中所述第一结构包括延伸穿过所述主体的孔隙,所述锚元件驻留在所述孔隙内,并且所述锚元件的尺寸被确定为使得在所述锚元件的外侧表面和所述主体的内侧表面之间形成间隙区域。

10.如权利要求9所述的MEMS装置,还包括:

顺从性部件,其驻留在所述间隙区域中,并且互连在所述锚元件和所述第一结构的所述主体之间,所述顺从性部件被电连接到每一个所述锚元件,并且所述信号迹线和所述顺从性部件被与所述第一结构的所述主体电隔离。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于飞思卡尔半导体公司,未经飞思卡尔半导体公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210114188.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top