[发明专利]一种新型的GaN基发光二极管器件及其制作方法

权利要求书

1.一种新型的GaN基发光二极管结构，其中包括：依次层叠的衬底、第一种半导体载流子注入层、多量子阱结构、多量子阱结构的最后一个量子垒(LQB)及第二种半导体载流子注入层，所述多量子阱结构的最后一个量子垒(LQB)为多层或多组分复合结构，所述最后一个量子垒为一层或多层GaN类及其合金材料的外延结构。

2.如权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于：所述多量子阱结构的最后一个量子垒(LQB)为多层复合结构。

3.如权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于：所述最后一个量子垒的GaN类合金材料为AlGaN、InGaN、AlInGaN中的一种和几种。

4.如权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于：最后一个量子垒层结构为In_xGa_1-xN层叠加p型GaN层的复合结构。

5.如权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于：最后一个量子垒层结构为In_xGa_1-xN层叠加Al_yGa_1-yN层的复合结构。

6.权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于：最后一个量子垒层结构为In_xGa_1-xN层叠加p型GaN层，再叠加Al_yGa_1-yN层的复合结构。

7.权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于：最后一个量子垒层结构为In_xGa_1-xN层叠加GaN层，再叠加p型GaN层的复合结构。

8.一种如权利1所述的发光二极管结构的制作方法，其特征在于：在制作好的N型氮化镓半导体层后，采用MOCVD方法，包括如下生长步骤：

(1)生长GaN层：将生长温度设定在700-900℃，反应器的压力为100-500Tor，通入10-60L的高纯氨气和10-90L的高纯氮气，通入流量为10-600sccm的TEG，生长时间为20-600s；

(2)生长InGaN层：将生长温度设定在700-900℃，反应器的压力为 100-500Tor，通入10-60L的高纯氨气和10-90L的高纯氮气，通入流量为10-600sccm的TEG，还通入流量为10-600sccm的TMIn，生长时间为20-600s；

(3)重复以上步骤(1)和(2)形成一个量子阱周期，生长3-15个周期的量子阱；

(4)完成最后一个量子阱的生长后，将生长温度设定在700-900℃，反应器的压力为100-500Tor，通入10-60L的高纯氨气和10-90L的高纯氮气，通入流量为10-600sccm的TEG，通入流量为0-600sccm的TMIn，通入流量为0-1000sccm的二茂镁，通入流量为0-300sccm的TMA，生长多层或多组分复合结构的最后一个量子垒外延层。生长完成整个多量子阱结构后继续制作发光二极管其他部分。