[发明专利]一种新型的GaN基发光二极管表面粗化方法无效
| 申请号： | 201210114556.4 | 申请日： | 2012-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN103378253A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 郝锐;马学进;吴质朴 | 申请（专利权）人： | 江门市奥伦德光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 529000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 新型 gan 发光二极管 表面 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种新型的GaN基发光二极管表面粗化方法，其特征在于：该方法的实现步骤如下：
(1)在衬底上生长N型GaN材料、发光活化层、P型GaN材料；
(2)在P型材料上沉积一层用来欧姆接触的透明电极；
(3)在透明电极上均匀分散一层SiO2纳米球材料；
(4)以SiO2纳米球作为掩膜，刻蚀透明电极成粗化表面。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：衬底是蓝宝石，碳化硅，或硅。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：P型透明电极是金属材料或氧化物材料，金属材料为：Pd，Au或NiAu，厚度在10至1000A的范围内；氧化物材料为SiO2、ZnO、NiO、MgO、In2O3、TiO2或ITO(In2O3-SnO2)，厚度在100A至20000A之间。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于：氧化物材料厚度为2500A。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于：SiO2纳米球直径在20A至30000A之间，整个纳米层的厚度在20A至30000A之间。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于：纳米层的厚度为3000A。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于：通过干法腐蚀P型透明电极。
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