[发明专利]一种用于功率器件的过温保护电路

权利要求书

1.一种用于功率器件的过温保护电路，其特征在于，包括：温度检测模块、关断控制模块、迟滞温度设置模块和取电模块，其中，

所述的取电模块包括输出端、第一输入端和第二输入端，所述的第一输入端与外部的驱动信号相连，所述的第二输入端与功率器件的高电位导通极相连，所述温度检测模块的输出端与关断控制模块的第一输入端相连，所述温度检测模块用于检测功率器件的温度并产生一个与所述温度相关的电流，并将所述电流输入到关断控制模块的第一输入端；所述关断控制模块的第二输入端与外部的驱动信号相连，所述关断控制模块的第一输出端作为所述过温保护电路的输出端，所述关断控制模块的第二输出端与迟滞温度设置模块的输入端相连，所述迟滞温度设置模块的输出端与温度检测模块的输入端相连；

所述取电模块的输出端为温度检测模块、关断控制模块和迟滞温度设置模块提供电源；

所述关断控制模块将接收到的温度检测模块输入的电流和预设值的阈值进行判断，若大于该阈值，则关断控制模块的第一输出端输出一个低电平关断所述功率器件并启动迟滞温度设置模块；否则，输出外部的驱动信号。

2.根据权利要求1所述的过温保护电路，其特征在于，所述温度检测模块包括：第一PTAT电流源和第一电阻单元，所述第一PTAT电流源用于产生一个与功率器件的温度成正比的电流，第一PTAT电流源的输出端与第一电阻单元的一个端子相连，并作为所述温度检测模块的输入端和输出端；第一电阻单元的另一个端子连接至地电位。

3.根据权利要求1所述的过温保护电路，其特征在于，所述关断控制模块包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第一非门和第二电阻单元，其中，第二晶体管的控制极作为所述关断控制模块的第一输入端，第二晶体管的高电位导通极与第二电阻单元的一个端子相连，同时还与第一非门的输入端相连，第二晶体管的低电位导通极连接至地电位，第二电阻单元的另一端与取电模块输出端相连，第一非门输出分别与第一晶体管和第三晶体管的控制极相连，第一晶体管是P型晶体管，第三晶体管是N型晶体管，第一晶体管的低电位导通极和第三晶体管的高电位导通极相连，并作为关断控制模块的第一输出端，第一晶体管的高电位导通极作为关断控制模块的第二输入端，第一晶体管的控制极作为关断控制模块的第二输出端，第三晶体管的低电位导通极接至地电位。

4.根据权利要求1所述的过温保护电路，其特征在于，所述迟滞温度设置模块用来设置所述过温保护电路的动作解除的温度点，包括第二PTAT电流源和与第二PTAT电流源串联的第四晶体管，第二PTAT电流源用于产生一个与功率器件的温度成正比的电流，其输出端与第四晶体管的高电位导通极相连，第四晶体管的控制极与关断控制模块的第二输出端相连，第四晶体管的低电位导通极作为迟滞温度设置模块的输出端，当未过温保护时，关断控制模块第二输出端输出一控制信号到所述迟滞温度设置模块的输入端，关断第二PTAT电流源；当过温保护时，关断控制模块第二输出端输出另一控制信号到所述迟滞温度设置模块的输入端，开启第二PTAT电流源，该电流输出到温度检测模块，并与第一PTAT电流源叠加。

5.根据权利要求1所述的过温保护电路，其特征在于，所述取电模块具体通过单刀双掷开关实现。

6.根据权利要求3所述的过温保护电路，其特征在于，所述第一晶体管的类型具体为P型MOSFET，第三晶体管的类型具体为N型MOSFET。