[发明专利]由于维度突变引起的一维到三维边界热阻的测试方法

权利要求书

1.一种材料一维到三维边界热阻的测试方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)制作一测试结构，该测试结构包括两个由悬空的纳米线连接的长方体A和长方体B，其中纳米线的直径为5nm-500nm，长方体A和B结构完全相同，并且长方体的最小边长大于纳米线直径的20倍；

2)针对于上述测试结构，建立数轴，以测试结构中纳米线的中点为原点，以测试结构中长方体A指向长方体B的方向为正方向；

3)测试时，保持长方体A和长方体B室温恒定，并沿着测试结构中的纳米线从长方体A开始一直到长方体B，每隔一段距离D在纳米线上取一个点，采用相同功率的高功率激光依次给纳米线上各个点加热，收集各个点的拉曼光谱；

4)通过所测得的各个点的拉曼光谱的峰移，计算出每个点与长方体A和长方体B之间的温差，进而求得每个点的温度；

5)各点在数轴上的位置X，与各点的温度T代入到公式：

T-T0=(R1+R1-3)(R2+R1-3)R1+R2+2R1-3P=(-mX2+n)P]]>

其中R₁为测试结构中激光打到纳米线上的点到长方体A之间的纳米线的热阻，R₂为测试结构中激光打到纳米线上的点到长方体B之间的纳米线热阻，R_1-3为一维到三维边界热阻，P为系统稳定时纳米线吸收的总的热量，T₀为室温，m、n为系数，测得测试结构中纳米线到长方体由于维度突变引起的边界热阻R_1-3。

2.如权利要求1所述的测试方法，其特征在于，步骤1)所述测试结构是在SOI衬底上制成的。

3.如权利要求1所述的测试方法，其特征在于，步骤3)中，所述距离D＝0.5um。

4.如权利要求1所述的测试方法，其特征在于，步骤3)中，所述高功率激光为打到纳米线上的光斑功率为毫瓦量级的激光。

5.如权利要求1所述的测试方法，其特征在于，步骤3)中，所述给各点加热是在室温条件下进行的。