[发明专利]一种金属氧化物半导体电学参数测试器件及制造方法

权利要求书

1.一种金属氧化物半导体电学参数测试器件，所述半导体器件的栅极为金属栅极，其特征在于，N型衬底的第一P型阱区域与第一N+区域形成的第一PN结构成第一个二极管，所述N型衬底的第二P型阱区域与第二N+区域形成的第二PN结构成第二个二极管，所述第一个二极管与所述第二个二极管反向并联，并与所述栅极相连形成N型金属氧化物半导体电学参数测试器件；或，

N型衬底与第一P+区域形成的第三PN结构成第三个二极管，所述N型衬底与第二P+区域形成的第四PN结构成第四个二极管，所述第三个二极管与所述第四个二极管反向并联，并与所述栅极相连形成P型金属氧化物半导体电学参数测试器件。

2.如权利要求1所述的半导体电学参数测试器件，其特征在于，所述N型金属氧化物半导体电学参数测试器件的构成具体包括：

所述第一个二极管的阳极为第一P型阱区域；

所述第一个二极管的阴极为所述第一P型阱区域内注入N型杂质形成的第一N+区域；

所述第二个二极管的阳极为第二P型阱区域；

所述第二个二极管的阴极为所述第二P型阱区域内注入N型杂质形成的第二N+区域；

所述第一个二极管的阴极与所述第二个二极管的阳极接地，所述第一个二极管的阳极与所述第二个二极管的阴极与所述栅极相连；或，

所述第一个二极管的阳极与所述第二个二极管的阴极接地，所述第一个二极管的阴极与所述第二个二极管的阳极与所述栅极相连。

3.如权利要求要求2所述的半导体电学参数测试器件，其特征在于，所述第一个二极管与所述第二个二极管反向并联并与所述栅极相连具体包括：

所述第一个二极管的阴极与所述第二个二极管的阳极接地，所述第一个二极管的阳极与所述第二个二极管的阴极上开通接触孔，通过金属布线与所述栅极相连；或，

所述第一个二极管的阳极与所述第二个二极管的阴极接地，所述第一个二极管的阴极与所述第二个二极管的阳极上开通接触孔，通过金属布线与所述栅极相连。

4.如权利要求1所述的半导体电学参数测试器件，其特征在于，所述P型金属氧化物半导体电学参数测试器件的构成具体包括：

所述第三个二极管的阴极为N型衬底区域；

所述第三个二极管的阳极为所述N型衬底区域内注入P型杂质形成的第一P+区域；

所述第四个二极管的阴极为所述N型衬底区域；

所述第四个二极管的阳极为所述N型衬底区域内注入P型杂质形成的第二P+区域；

所述第三个二极管的阴极与所述第四个二极管的阳极接地，所述第三个二极管的阳极与所述第四个二极管的阴极与所述栅极相连；或，

所述第三个二极管的阳极与所述第四个二极管的阴极接地，所述第三个二极管的阴极与所述第四个二极管的阳极与所述栅极相连。

5.如权利要求要求4所述的半导体电学参数测试器件，其特征在于，所述第三个二极管与所述第四个二极管反向并联并与所述栅极相连具体包括：

所述第三个二极管的阴极与所述第四个二极管的阳极接地，所述第三个二极管的阳极与所述第四个二极管的阴极上开通接触孔，通过金属布线与所述栅极相连；或，

所述第三个二极管的阳极与所述第四个二极管的阴极接地，所述第三个二极管的阴极与所述第四个二极管的阳极上开通接触孔，通过金属布线与所述栅极相连。

6.一种N型金属氧化物半导体电学参数测试器件的制造方法，所述N型金属氧化物半导体电学参数测试器件的栅极为金属栅极，其特征在于，该方法包括：

N型衬底上形成第一P型阱区域；

所述第一P型阱区域内注入N型杂质形成第一N+区域；

所述第一P型阱区域与所述第一N+区域形成的第一PN结构成第一个二极管；

N型衬底上形成第二P型阱区域；

所述第二P型阱区域内注入N型杂质形成第二N+区域；

所述第二P型阱区域与所述第二N+区域形成的第二PN结构成第二个二极管；

所述第一个二极管与所述第二个二极管反向并联并与所述栅极相连，形成N型金属氧化物半导体电学参数测试器件。