[发明专利]可编程LSI

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

可编程逻辑电路，其包括：

配置存储器，其包括：

易失性存储电路，其配置成当向所述可编程逻辑电路供应电源时存储配置数据；以及

非易失性存储电路，其配置成当不向所述可编程逻辑电路供应所述电源时存储所述配置数据，

其中所述非易失性存储电路包括晶体管，其配置成控制存储所述配置数据，

其中所述晶体管包括氧化物半导体层，其包括沟道形成区，并且

其中所述非易失性存储电路进一步包括电容器，所述电容器的一对电极中的一个电极电连接到当所述晶体管关断时被设置在浮动状态的节点。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其进一步包括配置成存储所述配置数据的存储器元件，

其中存储在所述存储器元件中的配置数据的至少一部分被输入到所述配置存储器，并且

其中所述存储器元件包括：晶体管，其包括氧化物半导体层，所述氧化物半导体层包括沟道形成区；和电容器，所述电容器的一对电极中的一个电极电连接到当所述晶体管关断时被设置在浮动状态的节点。

3.如权利要求1所述的半导体器件，

其中所述可编程逻辑电路的功能根据所述配置数据而改变。

4.如权利要求1所述的半导体器件，

其中所述易失性存储电路包括两个运算电路，并且

其中来自一个运算电路的输出被输入到另一个运算电路，并且来自所述另一个运算电路的输出被输入到所述一个运算电路。

5.一种半导体器件，包括：

可编程逻辑电路，其包括逻辑元件，所述逻辑元件的每个包括：

配置存储器，其包括：

易失性存储电路，其配置成存储配置数据；以及

非易失性存储电路，其配置成存储所述配置数据，

其中所述非易失性存储电路包括晶体管，其配置成控制存储所述配置数据，

其中所述晶体管包括氧化物半导体层，其包括沟道形成区，并且

其中所述非易失性存储电路进一步包括电容器，所述电容器的一对电极中的一个电极电连接到当所述晶体管关断时被设置在浮动状态的节点。

6.如权利要求5所述的半导体器件，其进一步包括配置成存储所述配置数据的存储器元件，

其中存储在所述存储器元件中的配置数据的至少一部分被输入到所述配置存储器，并且

其中所述存储器元件包括：晶体管，其包括氧化物半导体层，所述氧化物半导体层包括沟道形成区；和电容器，所述电容器的一对电极中的一个电极电连接到当所述晶体管关断时被设置在浮动状态的节点。

7.如权利要求5所述的半导体器件，

其中所述可编程逻辑电路的功能通过根据所述配置数据改变所述逻辑元件之间的电连接而改变。

8.如权利要求5所述的半导体器件，

其中所述易失性存储电路包括两个运算电路，并且

其中来自一个运算电路的输出被输入到另一个运算电路，并且来自所述另一个运算电路的输出被输入到所述一个运算电路。

9.一种半导体器件，包括：

可编程逻辑电路，其包括逻辑元件，所述逻辑元件的每个包括：

配置存储器，其包括：

易失性存储电路，其配置成存储配置数据；以及

非易失性存储电路，其配置成存储所述配置数据；

查找表，其配置成根据所述配置数据进行不同的运算处理；以及

选择电路，其配置成根据所述配置数据改变所述逻辑元件之间的电连接，

其中所述非易失性存储电路包括晶体管，其配置成控制存储所述配置数据，

其中所述晶体管包括氧化物半导体层，其包括沟道形成区，并且

其中所述非易失性存储电路进一步包括电容器，所述电容器的一对电极中的一个电极电连接到当所述晶体管关断时被设置在浮动状态的节点。

10.如权利要求9所述的半导体器件，

其中所述逻辑元件的每个进一步包括寄存器，其与时钟信号同步地输出对应于来自所述查找表的输出信号的信号。