[发明专利]氧磷灰石结构锗酸镧电解质材料粉体的低温制备方法无效
申请号: | 201210115119.4 | 申请日: | 2012-04-18 |
公开(公告)号: | CN102637887A | 公开(公告)日: | 2012-08-15 |
发明(设计)人: | 高伟;尹广超;仲林红;谢晓君;丛日东;黄大海;孙美玲;崔啟良;姜殿武 | 申请(专利权)人: | 吉林大学 |
主分类号: | H01M8/10 | 分类号: | H01M8/10;H01M8/12 |
代理公司: | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人: | 王恩远 |
地址: | 130012 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 磷灰石 结构 锗酸镧 电解质 材料 低温 制备 方法 | ||
1.一种氧磷灰石结构锗酸镧电解质材料粉体的低温制备方法,以氧化镧和氧化锗为反应原料,以氯化钠为熔盐,其中氧化镧和氧化锗按照摩尔比9.33+x∶12配料,反应原料和熔盐按照质量比1∶3~4配料;将原料和熔盐混合并加入无水乙醇,在转速为300~600转/分下球磨4~24小时;球磨后的原料和熔盐的混合物烘干后,在900~1000℃下烧结4~12小时;烧结后的产物用去离子水洗涤将其中的氯化钠去除掉,再烘干,得到氧磷灰石结构锗酸镧电解质材料粉体。
2.根据权利要求1所述的氧磷灰石结构锗酸镧电解质材料粉体的低温制备方法,其特征在于,所述的用去离子水洗涤,用硝酸银溶液滴入洗涤后的去离子水中,确定没有白色絮状沉淀产生后,继续洗涤两次。
3.根据权利要求1或2所述的氧磷灰石结构锗酸镧电解质材料粉体的低温制备方法,其特征在于,在原料与熔盐混合前,将氧化镧在1000℃下热处理2小时。
4.根据权利要求1或2所述的氧磷灰石结构锗酸镧电解质材料粉体的低温制备方法,其特征在于,制备过程中两次烘干,是经110℃烘干24小时。
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