[发明专利]实现锗基MOS器件有源区之间隔离的方法

权利要求书

1.一种实现锗基MOS器件有源区之间隔离的方法，依次进行下述步骤：

1)对半导体锗基衬底进行清洗并去除表面自然氧化层；

2)对衬底表面进行钝化；

3)在衬底表面淀积一层多晶硅或多晶锗硅作为牺牲层；

4)在牺牲层上淀积一层氮化硅；

5)在氮化硅层上涂光刻胶，光刻定义有源区，在有源区上方形成光刻胶掩膜；

6)以光刻胶为掩膜刻蚀去除隔离区上方的氮化硅，再去除光刻胶掩膜；

7)氧化形成表面覆盖二氧化硅层或氧化锗硅层的二氧化锗隔离结构；

8)刻蚀去除有源区上方的氮化硅和牺牲层。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1)所述锗基衬底是体锗衬底或者锗覆绝缘衬底。

3.权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1)中去除衬底表面氧化层的方法是：将衬底用10％～36％盐酸溶液或2％～5％HF溶液浸泡，然后用去离子水反复冲洗干净。

4.权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2)将衬底在5％～10％HCl溶液或20％～40％的NH4F溶液中浸泡，然后用去离子水反复冲洗干净。

5.权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤3)采用原子层淀积的方法低于600℃淀积多晶硅或多晶锗硅。

6.权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤3)所述牺牲层的厚度为1nm-5nm。

7.权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤4)采用等离子增强化学气相沉积、低压化学气相沉积或溅射的方法淀积氮化硅。

8.权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤4)所淀积的氮化硅的厚度为80nm-150nm。

9.权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤7)先在温度300～550℃，压强15-25atm条件下进行高压氧化，再在温度200～350℃，压强1-3atm条件下进行低温氧气氛围退火。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤8)采用反应离子刻蚀技术刻蚀有源区上方的氮化硅和牺牲层。