[发明专利]高压开关器件及其制作方法

权利要求书

1.一种高压开关器件，包括：

衬底，具有第一型掺杂；

形成在衬底上的外延层；

形成在外延层内的漏区和源区，其中所述源区具有第一型掺杂，所述漏区具有第二型掺杂；

位于所述源区和所述漏区之间的漂移区；

覆盖部分源区的栅氧；

覆盖栅氧覆盖之外的其他外延层部分的场氧；

形成在栅氧上的栅极部分；以及

形成在场氧上的蛇形多晶硅部分，其中所述蛇形多晶硅部分具有第一端和第二端，其第一端与所述漏区接触，其第二端靠近所述栅极部分但与其分开，所述蛇形多晶硅部分在垂直方向上位于所述漂移区上。

2.如权利要求1所述的高压开关器件，其中

所述高压开关器件包括金属氧化物场效应晶体管或者结型场效应晶体管；

所述第一型掺杂为P型，所述第二型掺杂为N型。

3.如权利要求1所述的高压开关器件，其中所述蛇形多晶硅部分的电阻值范围为3×10⁶Ω～5×10⁶Ω。

4.如权利要求1所述的高压开关器件，其中所述蛇形多晶硅部分的第二端通过金属线引出，并通过电阻器连接至参考地。

5.如权利要求4所述的高压开关器件，其中所述电阻器的阻值为所述蛇形多晶硅部分的电阻值的1/50以下。

6.如权利要求1所述的高压开关器件，其中所述漂移区包括多个轻掺杂区和多个第三掺杂区，所述轻掺杂区和第三掺杂区被依次交替放置在漂移区内；其中所述轻掺杂区的掺杂浓度水平低于所述第三掺杂区的掺杂浓度水平。

7.一种高压开关器件的制作方法，包括：

提供一衬底，所述衬底具有第一型掺杂；

在衬底上制作外延层，所述外延层具有第一型掺杂；

在外延层内形成源区、漏区和漂移区，所述漂移区位于所述源区和所述漏区之间；其中所述源区具有第一型掺杂，所述漏区具有第二型掺杂；

在外延层上形成栅氧和场氧，其中所述栅氧覆盖部分源区，所述场氧覆盖栅氧覆盖之外的其他外延层部分；

在栅氧上形成栅极部分，在场氧上形成蛇形多晶硅部分，其中所述蛇形多晶硅部分在垂直方向上位于所述漂移区上；所述蛇形多晶硅部分具有第一端和第二端，其第一端与漏区接触，其第二端靠近所述栅极部分但与其分开。

8.如权利要求7所述的高压开关器件的制作方法，进一步包括：

在源极区内形成第一重掺杂区和第二重掺杂区；其中所述第一重掺杂区具有第二型掺杂，所述第二重掺杂区具有第一型掺杂；

在漏极区内形成第三重掺杂区，所述第三重掺杂区具有第二型掺杂；以及

形成源极电极和漏极电极，所述源极电极与第一重掺杂区和第二重掺杂区接触，所述漏极电极与第三重掺杂区接触。

9.如权利要求7所述的高压开关器件的制作方法，进一步包括在漂移区内形成多个轻掺杂区和多个第三掺杂区，所述轻掺杂区和第三掺杂区被依次交替放置在漂移区内；其中所述轻掺杂区的掺杂浓度水平低于所述第三掺杂区的掺杂浓度水平。

10.如权利要求7所述的高压开关器件的制作方法，其中所述蛇形多晶硅部分的电阻值范围为3×10⁶Ω～5×10⁶Ω。