[发明专利]发光二极管及其光分配结构有效
申请号: | 201210116048.X | 申请日: | 2012-04-19 |
公开(公告)号: | CN103378276A | 公开(公告)日: | 2013-10-30 |
发明(设计)人: | 洪温振;张超雄;蔡明达 | 申请(专利权)人: | 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/58 | 分类号: | H01L33/58;H01L33/60 |
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地址: | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 及其 分配 结构 | ||
1.一种发光二极管的光分配结构,包括一透镜,基特征在于:还包括一反射层及一粗糙化膜片,该粗糙化膜片与该透镜均由透明材料制成,该反射层包括一贴合面及与该贴合面相对的一反射面,该反射面为一光滑的弧形凹面,该粗糙化膜片包括一结合面及与该结合面相对的一粗糙面,该结合面为一弧形的凸面,该结合面与该反射层的反射面无间贴合,该粗糙面上形成有粗糙结构,该粗糙结构的粗糙程度自该粗糙化膜片的中部向边缘逐渐减小,该透镜包括一入光面及与该入光面相对的一出光面,该入光面与该粗糙化膜片的粗糙面结合。
2.如权利要求1所述的发光二极管的光分配结构,其特征在于:该反射层的厚度自中部向外缘逐渐增大,该反射层的中部贯穿设有一通孔。
3.如权利要求1所述的发光二极管的光分配结构,其特征在于:该粗糙化膜片的厚度自中部向边缘逐渐减小,且中部贯穿设有一收容孔。
4.如权利要求3所述的发光二极管的光分配结构,其特征在于:该入光面的中部凹设一光室,该光室与该粗糙化膜片上的收容孔连通,该光室具有一倒U形的纵截面,该光室具有一圆形侧壁及一拱形的顶壁,该侧壁及顶壁均为光滑的反光面。
5.如权利要求1所述的发光二极管的光分配结构,其特征在于:该粗糙结构为自该粗糙面突起的若干的凸起,该凸起的高度及跨度自该粗糙化膜片的中部向边缘逐渐减小。
6.如权利要求5所述的发光二极管的光分配结构,其特征在于:该凸起为锥形、半球形及梯台形中的任意一种。
7.如权利要求1所述的发光二极管的光分配结构,其特征在于:该粗糙结构为形成于该粗糙面上的若干的凹槽,该凹槽深度及跨度自该粗糙化膜片的中部向边缘逐渐减小。
8.如权利要求7所述的发光二极管的光分配结构,其特征在于:该凹槽为锥形、半球形及梯台形中的任意一种。
9.如权利要求1所述的发光二极管的光分配结构,其特征在于:该透镜具有一蝠翼状的纵截面,该出光面为一向外凸起的曲面,该出光面的中部设有一漏斗状的凹陷。
10.一种发光二极管,包括一基座、设于该基座上的两电极及与该两电极电连接的一发光芯片,基特征在于:还包括一如权利要求1至9任意一项中所述的光分配结构,该反射层的贴合面贴合于该基座上且至少与其中一电极绝缘,该发光芯片位于该反射层的中部。
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