[发明专利]表面等离子体纳米光刻结构及方法有效
| 申请号： | 201210116763.3 | 申请日： | 2012-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN102636967A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 王钦华;陈根华;楼益民;曹冰;许富洋 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮 |
| 地址： | 215123 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 表面 等离子体 纳米 光刻 结构 方法 | ||
1.一种表面等离子体纳米光刻结构，包括上基底层、下基底层、共振腔和金属光栅层，所述共振腔和金属光栅层设于所述上基底层和下基底层之间，其特征在于：所述金属光栅层包括第一光栅层和第二光栅层，所述共振腔位于所述第一光栅层和所述第二光栅层之间，所述共振腔包括光刻胶层。
2.根据权利要求1所述的表面等离子体纳米光刻结构，其特征在于：所述共振腔还包括第一金属层和第二金属层，所述光刻胶层设于所述第一金属层和第二金属层之间。
3.根据权利要求2所述的表面等离子体纳米光刻结构，其特征在于：所述第一金属层和第二金属层的材料均为银。
4.根据权利要求2所述的表面等离子体纳米光刻结构，其特征在于：所述第一金属层和第二金属层的厚度为10nm～80nm。
5.根据权利要求1所述的表面等离子体纳米光刻结构，其特征在于：所述第一光栅层和第二光栅层的材料选自铝、铬或硅。
6.根据权利要求1所述的表面等离子体纳米光刻结构，其特征在于：所述第一光栅层和第二光栅层的狭缝相垂直。
7.根据权利要求1所述的表面等离子体纳米光刻结构，其特征在于：所述光刻胶层的厚度为10nm～60nm。
8.根据权利要求1所述的表面等离子体纳米光刻结构，其特征在于：所述第一光栅层和第二光栅层的狭缝的宽度小于80nm。
9.根据权利要求1所述的表面等离子体纳米光刻结构，其特征在于：所述第一光栅层和第二光栅层均为一维光栅。
10.一种表面等离子体纳米光刻方法，其特征在于：提供权利要求1所述的表面等离子体纳米光刻结构，入射光分别从上基底层和下基底层进行入射，并在所述光刻胶层上实现曝光。
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