[发明专利]本地振荡器时钟信号

权利要求书

1.一种用于为混频器电路产生互补周期信号的装置，所述装置包括：

第一产生电路和第二产生电路，所述第一产生电路和所述第二产生电路均用于产生这样的周期信号，所述周期信号的每个上升沿上的转变时间不同于每个下降沿上的转变时间，每个电路具有输出端，用于将其周期信号供给到混频器，使得来自所述电路中的一个的周期信号的每个上升沿与来自所述电路中的另一个的周期信号的每个下降沿在位于所述混频器的导通电压之下的交叉点处交叉。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，每个上升沿的转变时间比每个下降沿的转变时间慢。

3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一产生电路和所述第二产生电路中的每一个均包括串联连接的第一CMOS反相器和第二CMOS反相器。

4.根据权利要求3所述的装置，其中，所述第一产生电路和所述第二产生电路的所述第一CMOS反相器均被配置为接收具有相等的振幅和相反的相位的方波。

5.根据权利要求3所述的装置，其中，所述第一CMOS反相器包括串联连接的具有不同尺寸的PMOS晶体管和NMOS晶体管；并且所述第二CMOS反相器包括串联连接的具有不同尺寸的PMOS晶体管和NMOS晶体管。

6.根据权利要求5所述的装置，其中，所述第一CMOS反相器的所述PMOS晶体管与所述第一CMOS反相器的所述NMOS晶体管相比具有较大的沟道宽度，并且所述第二CMOS反相器的所述NMOS晶体管与所述第二CMOS反相器的所述PMOS晶体管相比具有较大的沟道宽度。

7.根据权利要求5所述的装置，其中，所述第一CMOS反相器的所述PMOS晶体管与所述第一CMOS反相器的所述NMOS晶体管相比具有较小的沟道长度，并且所述第二CMOS反相器的所述NMOS晶体管与所述第二CMOS反相器的所述PMOS晶体管相比具有较小的沟道长度。

8.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一产生电路和所述第二产生电路被连接在上部电压源轨和下部电压源轨之间，所述交叉点在电压的中值点之下。

9.一种用于为混频器产生互补周期信号的方法，所述方法包括：

从第一产生电路和第二产生电路中的每一个产生第一周期信号和第二周期信号，所述周期信号的每个上升沿上的转变时间不同于每个下降沿上的转变时间；

在用于与所述混频器连接的第一输出端处供给所述第一周期信号；以及

在用于与所述混频器连接的第二输出端处供给所述第二周期信号，使得所述第一输出端处的每个上升沿被定时在位于所述混频器的导通电压之下的交叉点处与所述第二输出端处的每个下降沿交叉。

10.一种CMOS无源混频器，所述CMOS无源混频器包括第一晶体管和第二晶体管，并且所述CMOS无源混频器还包括：

第一产生电路和第二产生电路，所述第一产生电路和所述第二产生电路均用于产生这样的周期信号，所述周期信号的每个上升沿上的转变时间不同于每个下降沿上的转变时间，每个电路具有输出端，用于将所述电路的周期信号供给到混频器，使得来自所述电路中的一个的周期信号的每个上升沿与来自所述电路中的另一个的周期信号的每个下降沿在位于所述混频器的导通电压之下的交叉点处交叉；

其中，来自所述第一产生电路的周期信号控制所述第一晶体管，并且来自所述第二产生电路的周期信号控制第二晶体管，使得所述第一晶体管和所述第二晶体管中任何一次只有一个被导通。

11.根据权利要求10所述的CMOS无源混频器，其中，所述CMOS无源混频器中的所述第一晶体管和所述第二晶体管是本位晶体管。

12.根据权利要求10所述的CMOS无源混频器，其中，来自所述第一产生电路和所述第二产生电路的周期信号均处于所述混频器的混合频率处。