[发明专利]横向高电子迁移率晶体管有效
| 申请号： | 201210117346.0 | 申请日： | 2012-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN102751324B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | F.希尔勒;M.聪德尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 谢攀,卢江 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 横向 电子 迁移率 晶体管 | ||
1.一种横向HEMT，包括：
衬底；
所述衬底上方的第一半导体层；
所述第一半导体层上的第二半导体层；
栅电极；
源电极；
漏电极；以及
整流肖特基结，所述整流肖特基结的第一端子电耦合至所述源电极，并且所述整流肖特基结的第二端子电耦合至所述第二半导体层。
2.根据权利要求1所述的横向HEMT，其中所述第二半导体层是所述第二端子的至少部分。
3.根据权利要求1所述的横向HEMT，其中所述第二端子包括所述第二半导体层，并且所述第一端子包括所述第二半导体层上的肖特基接触金属，所述肖特基接触金属是Ni、Pt、W、Mo、TiSi2、WSi2和CoSi2中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的横向HEMT，其中所述栅电极和所述肖特基结的肖特基接触金属是同一图案化金属层的独立部分。
5.根据权利要求1所述的横向HEMT，其中所述整流肖特基结包括p型GaN和掺杂多晶硅至少之一。
6.根据权利要求1所述的横向HEMT，其中所述栅电极和所述漏电极之间的最短横向距离大于所述整流肖特基结和所述漏电极之间的最短横向距离。
7.根据权利要求1所述的横向HEMT，其中所述第一半导体层包括AlGaN，并且所述第二半导体层包括GaN。
8.根据权利要求1所述的横向HEMT，其中所述第一半导体层包括GaN，并且所述第二半导体层包括AlGaN。
9.根据权利要求1所述的横向HEMT，其中所述源电极、所述漏电极、所述栅电极和所述整流结大致成形为彼此平行延伸的条。
10.根据权利要求1所述的横向HEMT，还包括：
所述第二半导体层上方的钝化层；
横向宽度为wd的漂移区；以及
至少部分布置在所述漂移区中一区域中的钝化层上且横向宽度为wf的至少一个场板，其中wf<wd。
11.根据权利要求10所述的横向HEMT，其中所述至少一个场板电耦合至所述源电极、所述漏电极、所述栅电极和另一个电极之一。
12.根据权利要求1所述的横向HEMT，其中所述衬底由Si、SiC、GaN或Al2O3和所述衬底上的至少一个缓冲物制成。
13.根据权利要求1所述的横向HEMT，其中所述衬底是金属载体。
14.根据权利要求1所述的横向HEMT，其中所述栅电极布置于所述第二半导体层上。
15.根据权利要求1所述的横向HEMT，其中所述栅电极是部分延伸到所述第二半导体层中的凹入栅电极。
16.根据权利要求1所述的横向HEMT，其中所述整流肖特基结的第一端子经由多个互连指状物电耦合至所述源电极，所述多个互连指状物形成包括所述源电极和所述多个互连指状物的梳形结构的一部分。
17.一种横向HEMT，包括：
衬底；
所述衬底上方的第一半导体层；
所述第一半导体层上的第二半导体层；
栅电极；
源电极；
漏电极；
包括所述第二半导体层上的肖特基接触金属的肖特基结，所述肖特基接触金属电耦合至所述源电极；并且
所述栅电极和所述漏电极之间的最短横向距离大于所述肖特基结和所述漏电极之间的最短横向距离。
18.根据权利要求17所述的横向HEMT，还包括：
所述第二半导体层上方的钝化层；
横向宽度为wd的漂移区；以及
至少部分布置在所述漂移区中一区域中的钝化层上且横向宽度为wf的至少一个场板，其中wf<wd。
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