[发明专利]一种半导体器件的制造方法有效

专利信息
申请号: 201210117405.4 申请日: 2012-04-19
公开(公告)号: CN103377916A 公开(公告)日: 2013-10-30
发明(设计)人: 王刚宁;戴执中;唐凌;孙泓;杨林宏 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L21/329 分类号: H01L21/329
代理公司: 北京市磐华律师事务所 11336 代理人: 董巍;顾珊
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体器件 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体器件的制造方法,包括:

a)提供具有p+衬底的硅片,在所述p+衬底上形成一p-外延层,以覆盖所述p+衬底;

b)形成自左向右依次排布的第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽,所述第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽的底部位于所述p+衬底中;

c)在所述第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽中形成隔离氧化物,所述隔离氧化物填满所述第二沟槽和第三沟槽;

d)去除所述第一沟槽底部的隔离氧化物,以仅在所述第一沟槽的侧壁上形成有所述隔离氧化物;

e)在所述第一沟槽中依次形成n+埋层和n-阱区;

f)研磨所述硅片,以露出所述p-外延层,所述隔离氧化物将所述p-外延层分割为自左向右依次排布的第一区、第二区和第三区;

g)在所述第二区和第三区中形成n+扩散区;

h)在所述n-阱区中形成p+扩散区,并对所述n+扩散区和p+扩散区进行快速热退火处理。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在步骤h)之后,进一步包括在所述p+扩散区和所述n+扩散区上形成金属电极的步骤。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,采用外延生长工艺形成所述p-外延层。

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤b)进一步包括:首先在所述p-外延层上形成一薄层氧化物,接着在所述薄层氧化物上形成一氮化硅层,然后在所述氮化硅层上形成一厚层氧化物;最后,定义所述第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽的图形,采用深沟槽蚀刻工艺形成所述第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽。

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,采用侧壁蚀刻工艺执行步骤d)。

6.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,在步骤d)和e)之间,进一步包括:去除所述厚层氧化物以露出所述氮化硅层。

7.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,利用所述氮化硅层作为掩膜,采用选择性外延工艺或非选择性外延工艺执行步骤e)。

8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,采用化学机械研磨工艺执行步骤f)。

9.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,采用离子注入工艺执行步骤g)。

10.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,采用离子注入工艺形成所述p+扩散区。

11.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述半导体器件为配置有埋入式齐纳二极管的双向导通瞬态电压抑制二极管。

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