[发明专利]陶瓷基功率型发光二极管及其封装方法

权利要求书

1.陶瓷基功率型发光二极管，其特征在于包括光学透镜（1）、覆铜层（2）、陶瓷基板（3）、负电极（4）、正电极（6）、LED芯片（7）、正电极焊线（8）和负电极焊线（9），所述覆铜层（2）固定在陶瓷基板（3）上，覆铜层（2）上具有负电极（4）和正电极（6），覆铜层（2）不覆盖陶瓷基板（3）上用于安装LED芯片（7）和光学透镜（1）的位置，LED芯片（7）粘在陶瓷基板（3）上；LED芯片（7）的正极通过正电极焊线（8）与所述正电极（6）连接，LED芯片（7）的负极通过负电极焊线（9）与所述负电极（4）焊接，光学透镜（1）粘贴在陶瓷基板上且覆盖LED芯片（7），光学透镜（1）的底端具有用于与陶瓷基板粘接的透镜固定平面和用于对LED芯片发光角度β内的光线进行反射形成出射光的透镜反光斜面。

2.根据权利要求1所述的陶瓷基功率型发光二极管，其特征在于所述陶瓷基板（3）的材料与LED芯片的材料热膨胀系数相同或相近。

3.根据权利要求1所述的陶瓷基功率型发光二极管，其特征在于在覆铜层（2）或覆铜层（2）与陶瓷基板（3）粘合后的整体结构上开有用于安装光学透镜（1）的固定透镜平面（10）和固定透镜斜面（11）。

4.根据权利要求1所述的陶瓷基功率型发光二极管，其特征在于所述LED芯片表面涂覆有荧光粉。

5.根据权利要求1所述的陶瓷基功率型发光二极管，其特征在于LED芯片发光角度β小于10°。

6.根据权利要求1所述的陶瓷基功率型发光二极管，其特征在于所述透镜反光斜面对LED芯片发光角度β内的光线进行全反射形成出射光。

7.陶瓷基功率型发光二极管的封装方法，其特征在于包括如下步骤：

（1）采用电路板制造工艺将覆铜层粘接并压制到陶瓷基板上，在覆铜层上制作正电极和负电极；

（2）在覆铜层（2）或覆铜层（2）与陶瓷基板（3）粘合后的整体结构上制作固定透镜平面和固定透镜斜面，用于固定光学透镜；

（3）将LED芯片粘接到陶瓷基板上，并涂覆荧光粉，之后进行固化；

（4）将具有透镜固定平面和透镜反光斜面的光学透镜粘接到陶瓷基板上，并与固定透镜平面和固定透镜斜面紧密配合，即封装成陶瓷基功率型LED。

8.根据权利要求7所述陶瓷基功率型发光二极管的封装方法，其特征在于所述光学透镜选用树脂材料制作，光学透镜外半径R1，光学透镜内半径R2，光学透镜的顶部为球面的一部分，底部具有透镜固定平面和透镜反光斜面，透镜反光斜面与水平线的角度α，透镜反光斜面位于所对应LED芯片发光角度β内。

9.根据权利要求7所述陶瓷基功率型发光二极管的封装方法，其特征在于LED芯片发光角度β小于10°。

10.根据权利要求7所述陶瓷基功率型发光二极管的封装方法，其特征在于利用蒸镀Al或SiO2材料工艺使得透镜反光斜面形成反射面。