[发明专利]一种纳米间隙均匀可控的表面传导电子发射源的制作方法

权利要求书

1. 一种纳米间隙均匀可控的表面传导电子发射源的制作方法，其特征在于包括以下步骤：第一步，在一平面绝缘基板上制备列状图案阵列； 

第二步，将制备有列状图案的平面绝缘基板水平倾斜一角度，并朝该倾斜方向沉积一层SED电子发射源薄膜；然后经干法刻蚀或湿法刻蚀，在上述沉积时被列状图案阻挡的部分处产生几纳米到几十纳米宽的间隙； 

第三步，在第二步所得基板上制作SED电子发射电极阵列，以使所述间隙出现在两相邻电极之间。

2.根据权利要求1所述的一种纳米间隙均匀可控的表面传导电子发射源的制作方法，其特征在于：所述平面绝缘基板的材料为普通玻璃、石英玻璃或聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）。

3.根据权利要求1所述的一种纳米间隙均匀可控的表面传导电子发射源的制作方法，其特征在于：所述列状图案的垂直截面的形状为矩形、三角形或梯形，高度为10纳米到几百纳米，该列状图案的加工方法采用光刻、干法刻蚀、湿法刻蚀、软印刷或微纳米机械加工法的一种或几种方法结合。

4.根据权利要求1所述的一种纳米间隙均匀可控的表面传导电子发射源的制作方法，其特征在于：所述角度在5°至85°之间。

5.根据权利要求1所述的一种纳米间隙均匀可控的表面传导电子发射源的制作方法，其特征在于：所述场发射电子源薄膜的材料为有机高分子化合物或无机材料。

6.根据权利要求1所述的一种纳米间隙均匀可控的表面传导电子发射源的制作方法，其特征在于：所述场发射电子源薄膜的材料为Pd、Pt、Au、Al、C、Ni、Mo、ZnO、SnO₂、PdO、In₂O₃、聚吡咯、聚苯硫醚、聚苯胺、聚噻吩或聚酞菁类化合物。

7.根据权利要求5或6所述的一种纳米间隙均匀可控的表面传导电子发射源的制作方法，其特征在于：所述场发射电子源薄膜的厚度为10纳米至500纳米。

8.根据权利要求7所述的一种纳米间隙均匀可控的表面传导电子发射源的制作方法，其特征在于：制作所述场发射电子源薄膜的方法采用磁控溅射法、电子束蒸镀法、热蒸镀法、脉冲激光沉积法、原子层沉积法、等离子增强化学气相沉积法或金属-有机化学气相沉积法。

9.根据权利要求1所述的一种纳米间隙均匀可控的表面传导电子发射源的制作方法，其特征在于：所述SED电子发射电极阵列的材料为具有导电性的Sn、Zn、In、Sb、Bi、Cd、Pd、Pt、Ag、Cu、Cr金属或由这些元素组成的合金及氧化物。

10.根据权利要求9所述的一种纳米间隙均匀可控的表面传导电子发射源的制作方法，其特征在于：所述SED电子发射电极阵列的制作方法采用物理气相沉积法、化学气相沉积法、电化学镀法或丝网印刷法；其宽度为几十微米至几百微米，厚度为几十纳米到几微米。