[发明专利]一种干涉曝光系统及其曝光方法

权利要求书

1.一种干涉曝光系统，用于对涂有光刻胶的基底曝光，包括：

分束装置， 入射光通过所述分束装置分成至少两束光束，对应形成至少两个干涉臂；

其特征在于，每个干涉臂设置有快门，控制所在干涉臂是否参与曝光及曝光时间；

至少一个干涉臂设置有相位补偿器，用于改变所在干涉臂的光束相位。

2.根据权利要求1所述的曝光系统，其特征在于，入射光通过分束装置分成强度相等、偏振态相同，且空间上均匀分布的光束。

3.根据权利要求1所述的曝光系统，其特征在于，所述入射光通过所述分束装置分成两束光，对应形成两个干涉臂，其中一个干涉臂上设置有相位补偿器，使所述干涉臂的光束相位改变180°╳（2N+1），其中，N为整数，所述干涉曝光系统还包括旋转机构，用于承载所述基底使所述基底实现360°旋转，在对所述基底曝光时，旋转所述基底，在所述基底上形成多组干涉条纹相互叠加的干涉图案。

4.根据权利要求1所述的曝光系统，其特征在于，还包括反射装置，设置在各个干涉臂中，使各干涉臂中的光束以相同的入射角入射并汇聚到所述基底上。

5.如权利要求1所述的曝光系统，其特征在于，所述入射光通过所述分束装置分成至少三束光束，对应形成至少三个干涉臂，其中，至少两个干涉臂设置有相位补偿器，使至少两个干涉臂的光束相位变化之和为180×(2N+1)，N为整数。

6.一种干涉曝光方法， 包括：

提供一基底，于所述基底表面涂覆光刻胶；

提供入射光，将所述入射光分成两束光束，对应形成两个干涉臂；

调节两个干涉臂中的一个干涉臂的光束相位，使所述干涉臂的光束相位改变180°╳N，其中，N为整数；以及

利用所述两个干涉臂对所述基底上的光刻胶进行多次曝光，并旋转所述基底，在所述基底光刻胶上形成多组干涉条纹相互叠加的干涉图案。

7.根据权利要求6所述的干涉曝光方法，其特征在于，所述干涉臂的光束相位改变180°╳2N，所述基底上形成的多组干涉条纹中的明条纹叠加形成多个光强极大点。

8.根据权利要求7所述的曝光方法，还包括对所述基底进行显影，以在所述基底表面形成多个孔结构。

9.根据权利要求6所述的干涉曝光方法，其特征在于，所述干涉臂的光束相位改变180°╳（2N+1），所述基底上形成的多数组干涉条纹中的暗条纹叠加形成多数光强极小点。

10.根据权利要求9所述的干涉曝光方法，还包括对所述基底进行显影，以在所述基底表面形成多个柱结构。

11.根据权利要求6所述的干涉曝光方法，其特征在于，每完成一次曝光之后即将所述基底旋转一预定角度，之后进行下一次曝光。

12.如权利要求11所述的干涉曝光方法，其特征在于，所述预定角度等于360°除以所述基底的曝光次数。

13.一种干涉曝光方法，包括：

提供一基底，于所述基底表面涂覆光刻胶；

提供入射光，并将所述入射光分成至少三束光束，以形成至少三个干涉臂；

利用所述至少三个干涉臂对所述基底进行多次曝光以在所述基底表面形成多组干涉条纹相互叠加的干涉图案；

其特征在于，每一次曝光时，仅以两个干涉臂对所述基底进行曝光，且两个干涉臂中一个干涉臂的光束相位改变，多次曝光后，发生相位改变的干涉臂的光束相位改变之和为180°╳N，其中N为整数。

14.如权利要求13所述的干涉曝光方法，其特征在于，发生相位改变的干涉臂的光束相位改变之和为180°╳2N，所述基底上形成的多组干涉条纹中的明条纹叠加形成多个光强极大点。

15.如权利要求14所述的干涉曝光方法，还包括对所述基底进行显影，以在所述基底表面形成多个孔结构。

16.根据权利要求13所述的干涉曝光方法，其特征在于，所述干涉臂的光束相位改变180°╳（2N+1），所述基底上形成的多组干涉条纹中的暗条纹叠加形成多个光强极小点。

17.根据权利要求16所述的干涉曝光方法，还包括对所述基底进行显影，以在所述基底表面形成多个柱结构。