[发明专利]半导体芯片与封装结构以及其形成方法有效
| 申请号： | 201210118196.5 | 申请日： | 2012-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN103378031A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 陈逸男;徐文吉;叶绍文;刘献文 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 封装 结构 及其 形成 方法 | ||
1.一种半导体芯片，其特征在于，包含：
基底，具有上表面以及相对于所述上表面的下表面；
穿硅通孔结构设置于通孔中，贯穿所述上表面以及所述下表面，所述穿硅通孔结构包含第一通孔金属与第二通孔金属；
上凸块设置于所述上表面上，与所述穿硅通孔结构电性连接，并包含第一凸块金属与第二凸块金属；以及
绝缘结构设置于所述基底中并远离所述上表面，所述绝缘结构围绕所述第二通孔金属。
2.根据权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，所述穿硅通孔结构另包含绝缘层与阻挡层。
3.根据权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，所述上凸块包含所述第一通孔金属与所述第二通孔金属，其中所述第一通孔金属为铜，所述第二通孔金属为镍。
4.根据权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，所述第一凸块金属为锡，所述第二凸块金属为银。
5.根据权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，所述第一凸块金属与所述第二凸块金属一起形成凸块合金。
6.一种半导体封装结构，其特征在于，包含至少两个如权利要求1所述的半导体芯片，其中一个芯片的所述第一通孔金属与另外一个芯片的所述上凸块中的所述第一凸块金属一起形成凸块接触合金。
7.根据权利要求6所述的半导体封装结构，其特征在于，所述凸块接触合金包含镍与锡。
8.一种形成半导体芯片的方法，其特征在于，包含：
提供基底，具有上表面以及相对于所述上表面的下表面；
在所述基底中形成通孔；
在所述通孔中形成穿硅通孔结构，贯穿所述上表面以及所述下表面，所述穿硅通孔结构包含第一通孔金属与第二通孔金属；
在所述上表面上形成上凸块，所述穿硅通孔结构电性连接所述上凸块，其中所述上凸块包含第一凸块金属与第二凸块金属；以及
形成设置于所述基底中的绝缘结构而远离所述上表面，所述绝缘结构围绕所述第二通孔金属。
9.根据权利要求8所述的形成半导体芯片的方法，其特征在于，更包含：
形成至少两个半导体芯片；
将其中一个芯片的所述第二通孔金属接触另外一个芯片的所述上凸块中的所述第一凸块金属；以及
所述第一通孔金属与所述上凸块中的所述第一凸块金属一起形成凸块接触合金。
10.根据权利要求8所述的形成半导体芯片的方法，其特征在于，更包含：
形成设置于所述通孔中的绝缘层与阻挡层，而围绕所述第一通孔金属与所述第二通孔金属。
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