[发明专利]半导体结构及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

一衬底；

一第一导电型的阱区与一第二导电型的阱区，分别形成于该衬底中；

一本体区，形成于该第二导电型的阱区中；

一第一掺杂区与一第二掺杂区，分别形成于该第一导电型的阱区中与该本体区中，该第二掺杂区的极性与该第一掺杂区的极性相同，且该第二掺杂区的杂质浓度大于该第一掺杂区的杂质浓度；

一第三掺杂区，形成于该第二导电型的阱区，且位于该第一掺杂区与该第二掺杂区之间，该第三掺杂区的极性与该第一掺杂区的极性相反；以及

一第一场板，形成于该第二掺杂区与该第三掺杂区之间的表面区域。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，更包括一第二场板，形成于该第一掺杂区与该第三掺杂区之间的表面区域，该第二场板的材质为多晶硅。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，更包括一场氧化物，形成于该第一掺杂区与该第三掺杂区之间的表面区域，且该第二场板覆盖该场氧化物。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，更包括一场氧化物，形成于该第二掺杂区与该第三掺杂区之间的表面区域，该第一场板覆盖该场氧化物，且覆盖在该本体区的部分表面区域，该第一场板的材质为多晶硅。

5.一种半导体结构，包括：

一衬底；

一第一导电型的阱区与一第二导电型的阱区，分别形成于该衬底中；

一本体区，形成于该第二导电型的阱区中；

一第一掺杂区与一第二掺杂区，分别形成于该第一导电型的阱区中与该本体区中，该第二掺杂区的极性与该第一掺杂区的极性相同，且该第二掺杂区的杂质浓度大于该第一掺杂区的杂质浓度；

一第三掺杂区，形成于该第二导电型的阱区，且位于该第一掺杂区与该第二掺杂区之间，该第三掺杂区的极性与该第一掺杂区的极性相反；以及

一场板，形成于该第一掺杂区与该第三掺杂区之间的表面区域，该场板的材质为多晶硅。

6.一种半导体结构的制作方法，该方法包括：

提供一衬底；

分别形成一第一导电型的阱区与一第二导电型的阱区于该衬底中；

形成一本体区于该第二导电型的阱区中；

分别形成一第一掺杂区与一第二掺杂区于该第一导电型的阱区与该本体区中，该第二掺杂区的极性与该第一掺杂区的极性相同，且该第二掺杂区的杂质浓度大于该第一掺杂区的杂质浓度；

形成一第三掺杂区于该第二导电型的阱区中，且位于该第一掺杂区与该第二掺杂区之间，该第三掺杂区的极性与该第一掺杂区的极性相反；以及

形成一第一场板于该第二掺杂区与该第三掺杂区之间的表面区域。

7.根据权利要求6所述的方法，更包括形成一第二场板于该第一掺杂区与该第三掺杂区之间的表面区域，其中形成该第二场板之前，更包括形成一场氧化物于该第一掺杂区与该第三掺杂区之间的表面区域，且形成该第二场板之后，该第二场板覆盖于该场氧化物，且该第二场板的材质为多晶硅。

8.根据权利要求6所述的方法，其中形成该第一场板之前，更包括形成一场氧化物于该第二掺杂区与该第三掺杂区之间的表面区域，且形成该第一场板之后，该第一场板覆盖于该场氧化物，且该第一场板覆盖该本体区的部分表面区域，该第一场板的材质为多晶硅。

9.一种半导体结构的制作方法，包括：

提供一衬底；

分别形成一第一导电型的阱区与一第二导电型的阱区于该衬底中；

形成一本体区于该第二导电型的阱区中；

分别形成一第一掺杂区与一第二掺杂区于该第一导电型的阱区与该本体区中，该第二掺杂区的极性与该第一掺杂区的极性相同，且该第二掺杂区的杂质浓度大于该第一掺杂区的杂质浓度；

形成一第三掺杂区于该第二导电型的阱区中，且位于该第一掺杂区与该第二掺杂区之间，该第三掺杂区的极性与该第一掺杂区的极性相反；以及

形成一场板于该第一掺杂区与该第三掺杂区之间的表面区域，该场板的材质为多晶硅。

10.根据权利要求9所述的方法，其中形成该场板之前，更包括形成一场氧化物于该第一掺杂区与该第三掺杂区之间的表面区域，且形成该场板之后，该场板覆盖于该场氧化物。