[发明专利]具有金属双层的电容结构及其使用方法有效
| 申请号： | 201210118540.0 | 申请日： | 2012-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN102751264A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 瓦西尔·安托诺夫;维许瓦耐·巴赫特;克里斯·卡尔森 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L21/02 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 金属 双层 电容 结构 及其 使用方法 | ||
1.一种电容结构，其特征在于，包含：
一上电极，由一种贵金属所组成；
一盖层，由一种金属氮化物所组成，并直接覆盖所述上电极；
一下电极，包含一导电材料；以及
一介电层，直接接触所述上电极与所述下电极，并位于所述上电极与所述下电极之间。
2.如权利要求1所述的电容结构，其特征在于，所述贵金属包含铂、钯、铱与钌的其中至少一种。
3.如权利要求1所述的电容结构，其特征在于，所述贵金属具有10埃至40埃的厚度。
4.如权利要求1所述的电容结构，其特征在于，所述金属氮化物包含氮化钛、氮化钽、氮化锆、氮化铪、氮化铌与氮化钼的其中至少一种。
5.如权利要求1所述的电容结构，其特征在于，所述金属氮化物具有20埃至50埃的厚度。
6.如权利要求1所述的电容结构，其特征在于，一包含所述上电极与所述盖层的顶电极具有75埃至90埃的厚度。
7.如权利要求1所述的电容结构，其特征在于，所述介电层与所述贵金属直接接触。
8.如权利要求1所述的电容结构，其特征在于，所述电容结构用于一动态随机存取存储器中。
9.如权利要求1所述的电容结构，其特征在于，所述上电极不含钨。
10.如权利要求1所述的电容结构，其特征在于，所述上电极不含硅。
11.一种使用一金属双层的方法，包含：
提供一下电极；
提供一介电层，其位于所述下电极之上并与所述下电极直接接触；以及
提供在一电容中作为一顶电极的一金属双层；所述金属双层位于所述介电层之上并与所述介电层直接接触，其中所述金属双层由与所述介电层直接接触的一贵金属，以及与所述贵金属直接接触的一金属氮化物所组成。
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