[发明专利]功率模块用基板的制造方法及功率模块用基板有效
| 申请号： | 201210118770.7 | 申请日： | 2012-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN102751201B | 公开（公告）日： | 2016-11-16 |
| 发明（设计）人： | 大井宗太郎 | 申请（专利权）人： | 三菱综合材料株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/12 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 齐葵;王诚华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率 模块 用基板 制造 方法 | ||
1.一种功率模块用基板的制造方法，该功率模块用基板交替层叠有多个陶瓷基板与金属板并进行接合，并且通过形成于陶瓷基板的贯穿孔使该陶瓷基板两侧的金属板成为连接状态，其特征在于，
在层叠所述陶瓷基板及金属板时，向陶瓷基板的贯穿孔内插入长于该贯穿孔的柱状金属部件，在接合所述陶瓷基板及金属板时，加压所述金属部件使其塑性变形，通过所述金属部件接合所述陶瓷基板两侧的金属板。
2.如权利要求1所述的功率模块用基板的制造方法，其特征在于，
以在所述金属部件与所述贯穿孔的内周面之间形成有间隙的状态接合所述金属板。
3.如权利要求1或2所述的功率模块用基板的制造方法，其特征在于，
所述金属部件预先一体地立设于配置在所述陶瓷基板两侧的两个金属板中的其中一个的表面。
4.如权利要求1或2所述的功率模块用基板的制造方法，其特征在于，
所述金属部件预先一体地立设于配置在所述陶瓷基板两侧的两个金属板各自的表面。
5.如权利要求1或2所述的功率模块用基板的制造方法，其特征在于，
所述金属部件在其长度方向的两端具有端面，并分别接合于配置在所述陶瓷基板两侧的两个金属板。
6.一种功率模块用基板，其交替层叠有多个陶瓷基板与金属板并进行接合，并且通过形成于陶瓷基板的贯穿孔的内部，该陶瓷基板两侧的金属板成为连接状态，其特征在于，
以插入所述贯穿孔内的金属部件塑性变形的状态，接合有所述陶瓷基板两侧的金属板。
7.如权利要求6所述的功率模块用基板，其特征在于，
在所述金属部件与所述贯穿孔的内周面之间形成有间隙。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
