[发明专利]功率转换装置

权利要求书

1.一种功率转换装置，具有：进行开关动作的2个1组的半导体开关(S1a、S1b)，其中半导体开关由FET(FET1a、FET1b)和反并联连接于所述FET(FET1a、FET1b)的回流二极管(D1a、D1b)构成；以及平滑电容器(C1)，仅使所述2个1组的半导体开关(S1a、S1b)中的一方通电，通过开关动作进行功率转换，这种电压型的功率转换装置(10)的特征在于，包括：

对流过所述半导体开关(S1a、S1b)的电流的方向进行检测的单元(CS1)；以及

控制部(11)，该控制部(11)在流过所述半导体开关(S1a、S1b)的电流的方向为负时，使所述半导体开关(S1a、S1b)的PWM选通脉冲信号成为对于互补选通脉冲信号、抽去了一部分或全部导通信号的选通脉冲信号。

2.如权利要求1所述的功率转换装置，其特征在于，设所述2个1组的半导体开关(S1a、S1b)为n组、所述平滑电容器(C1)为n个时，n＝1。

3.如权利要求1所述的功率转换装置，其特征在于，设所述2个1组的半导体开关(S1a、S1b)为n组、所述平滑电容器(C1)为n个时，n＝2。

4.如权利要求1～3中任一项所述的功率转换装置，其特征在于，

包括对流过所述半导体开关(S1a、S1b)的电流的大小进行检测的单元(CS1)，

所述控制部(11)在流过所述半导体开关(S1a、S1b)的电流的大小为规定阈值以上的较大值、且所述半导体开关(S1a、S1b)的电流的方向为负时，使所述PWM选通脉冲信号成为对于互补选通脉冲信号、抽去了一部分或全部导通信号的选通脉冲信号，

所述控制部(11)在流过所述半导体开关(S1a、S1b)的电流为小于所述规定阈值的较小值时，使所述PWM选通脉冲信号作为互补选通脉冲信号输出。

5.如权利要求1～3中任一项所述的功率转换装置，其特征在于，

包括对所述半导体开关(S1a、S1b)的温度进行检测的单元，

所述控制部(11)在所述半导体开关(S1a、S1b)为规定温度以上的高温、且流过所述半导体开关(S1a、S1b)的电流的方向为负时，使所述PWM选通脉冲信号成为对于互补选通脉冲信号、抽去了一部分或全部导通信号的选通脉冲信号，

所述控制部(11)在所述半导体开关(S1a、S1b)为低于所述规定温度的低温时，输出互补选通脉冲信号。

6.如权利要求1～3中任一项所述的功率转换装置，其特征在于，

包括对冷却所述半导体开关(S1a、S1b)的散热片(66)的温度进行检测的单元，

所述控制部(11)在所述散热片(66)为规定温度以上的高温、且流过所述半导体开关(S1a、S1b)的电流的方向为负时，使所述PWM选通脉冲信号成为对于互补选通脉冲信号、抽去了一部分或全部导通信号的选通脉冲信号，

所述控制部(11)在所述散热片(66)为低于所述规定温度的低温时，输出互补选通脉冲信号。

7.如权利要求1～3中任一项所述的功率转换装置，其特征在于，

包括对冷却所述半导体开关(S1a、S1b)的散热片(66)的制冷剂温度进行检测的单元，

所述控制部(11)在所述制冷剂为规定温度以上的高温、且流过所述半导体开关(S1a、S1b)的电流的方向为负时，使所述PWM选通脉冲信号成为对于互补选通脉冲信号、抽去了一部分或全部导通信号的选通脉冲信号，

所述控制部(11)在所述制冷剂为低于所述规定温度的低温时，输出互补选通脉冲信号。

8.如权利要求1～3中任一项所述的功率转换装置，其特征在于，所述FET(FET1a、FET1b)为SiC、GaN等宽带隙半导体。

9.如权利要求1～3中任一项所述的功率转换装置，其特征在于，所述回流二极管(D1a、D1b)为使用了SiC、GaN等宽带隙半导体的肖特基势垒二极管。