[发明专利]利用激光诱发石墨烯的制备方法无效
| 申请号： | 201210120059.5 | 申请日： | 2012-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN103378222A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 阙郁伦;丁纪嘉;林宏桥 | 申请（专利权）人： | 阙郁伦 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周长兴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 利用 激光 诱发 石墨 制备 方法 | ||
1.一种石墨烯的制备方法，包括：
提供一基板；
形成一金属层于该基板上的一面；
形成一碳源基材层于该金属层上；
提供一激光光源，照射于该基板上使其穿越该基板至该基板与该金属层接触面上，以形成一石墨烯层；以及
提供一有机溶剂及一酸液，可分别移除该碳源基材层及该金属层。
2.如权利要求1所述石墨烯的制备方法，其中，该基板为一透明基板。
3.如权利要求1所述石墨烯的制备方法，其中，该基板为玻璃基板、塑料基板或石英基板。
4.如权利要求1所述石墨烯的制备方法，其中，该金属层为镍层或钌层。
5.如权利要求1所述石墨烯的制备方法，其中，该金属层的厚度为10-300nm。
6.如权利要求1所述石墨烯的制备方法，其中，包括将该金属层图案化。
7.如权利要求1所述石墨烯的制备方法，其中，该碳源基材为一固态碳源基材。
8.如权利要求1所述石墨烯的制备方法，其中，该碳源基材为聚甲基丙烯酸甲酯或聚二甲基硅胶。
9.如权利要求1所述石墨烯的制备方法，其中，该碳源基材层的厚度为100-2000nm。
10.如权利要求1所述石墨烯的制备方法，其中，该激光光源的波长为200-2000nm。
11.如权利要求1所述石墨烯的制备方法，其中，该激光光源的单位面积能量为100mW/cm2-5W/cm2。
12.如权利要求1所述石墨烯的制备方法，其中，该激光光源的照射时间为0.1-10分钟。
13.如权利要求1所述石墨烯的制备方法，其中，该有机溶剂为丙酮、苯、氯仿、丁酮、四氢呋喃、氯苯、二甲苯、环己酮或二氯甲烷。
14.如权利要求1所述石墨烯的制备方法，其中，该酸液为稀盐酸或醋酸。
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